IPC H01L27/10 專利列表
共 124 筆結果
減少晶片尺寸之半導體記憶體裝置
三星電子股份有限公司
案號 0921022242003-01-30IPC H01L27/108
降低程式化耗電之MRAM裝置中的磁軛結構及其製造方法
夏普股份有限公司
案號 0921022982003-01-30IPC H01L27/108
具有改良電性質之記憶體元件
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921019562003-01-29IPC H01L27/108
半導體裝置以及製造半導體裝置之方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0921018872003-01-28IPC H01L27/10
溝槽式電容及其形成方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921017932003-01-28IPC H01L27/108
半導體裝置之製造方法
三菱電機股份有限公司
案號 0921015592003-01-24IPC H01L27/108
無電容單一電晶體動態隨機存取記憶體單元及製造方法
億恒科技公司
案號 0921014772003-01-23IPC H01L27/108
具有側面電連結直立電路晶粒之離散式電路元件
典琦科技股份有限公司
案號 0921009522003-01-17IPC H01L27/10
多晶記憶體結構、形成此結構之方法、及使用此結構之半導體記憶裝置
夏普股份有限公司
案號 0921010282003-01-17IPC H01L27/105
具有減低凹凸不平的電阻記憶體元件
億恒科技公司
案號 0921000892003-01-03IPC H01L27/105
電荷貯存電極之形成方法
海力士半導體有限公司
案號 0911366862002-12-19IPC H01L27/108
具有垂直型電晶體與深溝槽電容器之記憶體裝置及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0911364162002-12-17IPC H01L27/108
具有電晶體與電容器之半導體元件及其製造方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0911355842002-12-09IPC H01L27/10
半導體積體電路
瑞薩電子股份有限公司
案號 0911354132002-12-06IPC H01L27/10
非揮發性半導體記憶裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0911344492002-11-27IPC H01L27/10
半導體記憶裝置、其製造方法及動作方法、以及可攜式電子機器
夏普股份有限公司
案號 0911339392002-11-21IPC H01L27/10
半導體記憶裝置
松下電器產業股份有限公司
案號 0911338002002-11-19IPC H01L27/108
半導體記憶裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0911332402002-11-13IPC H01L27/10
半導體記憶裝置
瑞薩電子股份有限公司
案號 0911329312002-11-08IPC H01L27/10
半導體積體電路
日商艾普凌科有限公司
案號 0911327052002-11-06IPC H01L27/10