IPC H01L27/10 專利列表
共 124 筆結果
動態記憶胞元
億恆科技股份公司
案號 0921088592003-04-16IPC H01L27/108
半導體積電路及其製造方法
ＰＳ４盧克斯科公司
案號 0921084152003-04-11IPC H01L27/108
半導體裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921080862003-04-09IPC H01L27/108
具有浮接Ｎ型井的Ｐ型金氧半導體記憶單元
力旺電子股份有限公司
案號 0921074822003-04-02IPC H01L27/105
具有增加訊號範圍之行讀出電路之互補式金氧半電晶體之影像感應器
美商豪威科技股份有限公司
案號 0921070102003-03-27IPC H01L27/108
半導體裝置及其製造方法
松下電器產業股份有限公司
案號 0921069292003-03-27IPC H01L27/108
磁性記憶裝置
東芝股份有限公司
案號 0921067792003-03-26IPC H01L27/105
可避免因字元線與位元線傾斜所造成之不良影響的半導體裝置
爾必達存儲器股份有限公司
案號 0921064542003-03-21IPC H01L27/108
具有垂直型電晶體與溝槽電容器之記憶體裝置及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921060662003-03-19IPC H01L27/108
冠狀電容及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921057792003-03-17IPC H01L27/108
電阻可變材料晶胞之方法與裝置
美光科技公司
案號 0921056182003-03-14IPC H01L27/105
半導體裝置及其製造方法
新力股份有限公司
案號 0921054962003-03-13IPC H01L27/10
半導體積體電路裝置
羅姆股份有限公司
案號 0921048952003-03-07IPC H01L27/10
半導體元件及使用其之半導體記憶體
伊諾鐵克股份有限公司
案號 0921047832003-03-06IPC H01L27/10
半導體記憶裝置
夏普股份有限公司
案號 0921046622003-03-05IPC H01L27/10
半導體裝置及其製造方法
知識產權之橋一號有限責任公司
案號 0921030892003-02-14IPC H01L27/108
半導體裝置及其製造方法
知識產權之橋一號有限責任公司
案號 0921030882003-02-14IPC H01L27/108
半導體記憶元件
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0921024742003-02-07IPC H01L27/108
具有溝渠及平面選擇電晶體之半導體記憶體單元及其製造方法
億恒科技公司
案號 0921025392003-02-07IPC H01L27/108
半導體記憶體裝置
富士通微電子股份有限公司
案號 0921024362003-02-06IPC H01L27/108