IPC H01L27/11 專利列表
共 124 筆結果
深溝渠式單電晶體靜態隨機存取記憶體單元/
聯華電子股份有限公司
案號 0931052162004-02-27IPC H01L27/11
積體電路之佈局及製造方法
台灣茂矽電子股份有限公司
案號 0931045892004-02-24IPC H01L27/112
Ｐ型記憶單元組成之反及型記憶模組之操作方法
力旺電子股份有限公司
案號 0931022322004-01-30IPC H01L27/115
可微縮化偶對疊堆閘快閃細胞元結構及其無接點非或型快閃記憶陣列
矽基科技股份有限公司
案號 0931014752004-01-20IPC H01L27/112
疊堆閘快閃細胞元結構及其無接點非或型快閃記憶陣列
矽基科技股份有限公司
案號 0931010712004-01-15IPC H01L27/115
可微縮化串／接地選擇閘結構及其無接點非及型氧氮氧快閃記憶陣列
智源開發股份有限公司
案號 0931005212004-01-09IPC H01L27/115
非揮發性記憶胞及其製造方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921372662003-12-29IPC H01L27/115
具有量子點儲存單元的非揮發性記憶體之結構與製造方法
財團法人國家實驗研究院
案號 0921368192003-12-25IPC H01L27/115
具有溝槽選擇閘的快閃記憶體及其製造方法
矽儲存科技股份有限公司
案號 0921367632003-12-24IPC H01L27/115
非揮發性半導體記憶裝置
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921366782003-12-24IPC H01L27/115
利用金屬層規劃不劃分擺放位置之基礎單元以形成積體電路的方法
智原科技股份有限公司
案號 0921351892003-12-12IPC H01L27/118
具電荷捕捉記憶胞元之半導體記憶體及製造方法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921346222003-12-08IPC H01L27/115
三維多晶矽唯讀記憶體及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921344632003-12-05IPC H01L27/112
Ｐ通道可電除可程式唯讀記憶體的程式化方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921335072003-11-28IPC H01L27/115
使用倒置鰭式場效電晶體薄膜電晶體之鰭式場效電晶體靜態隨機存取記憶體單元
萬國商業機器公司
案號 0921334972003-11-28IPC H01L27/11
高密度唯讀記憶體單元
智原科技股份有限公司
案號 0921333002003-11-27IPC H01L27/112
半導體可程式元件
宇晶科技股份有限公司
案號 0921319302003-11-14IPC H01L27/115
積體電路記憶體裝置以及對此裝置程式化的方法，以使在程式化操作中汲取的電流與要被程式化之資料無關
三星電子股份有限公司
案號 0921317502003-11-13IPC H01L27/115
一種允許位元組、頁、以及區塊寫入之新單體式小型不消失記憶體，其具有在單元陣列中不受干擾與分割良好之特性，而使用具有新的解碼器設計與佈局之整合單元結構與技術
柰米閃芯積體電路有限公司
案號 0921317012003-11-12IPC H01L27/115
具有Ｐ＋閘極與薄底部閘極之記憶裝置及其抹除方法
賽普拉斯半導體公司
案號 0921313662003-11-10IPC H01L27/115