IPC H01L27/11 專利列表
共 124 筆結果
使用槽口型閘極之具有局部ＳＯＮＯＳ結構之快閃記憶體元件以及其製造方法
三星電子股份有限公司
案號 0921306702003-11-03IPC H01L27/115
記憶體核心及其存取方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921301802003-10-30IPC H01L27/112
能隔絕電容耦合之高速雙埠記憶單元及布局設計
昇陽電腦股份有限公司
案號 0921281432003-10-09IPC H01L27/11
多階記憶胞
力晶積成電子製造股份有限公司
案號 0921279152003-10-08IPC H01L27/115
非揮發性記憶體裝置及其形成方法
美商ＶＬＳＩ科技有限責任公司
案號 0921278182003-10-07IPC H01L27/115
自行對準分散閘極ＮＡＮＤ快閃記憶體及製法
矽儲存科技股份有限公司
案號 0921241222003-09-01IPC H01L27/115
高密度ＮＲＯＭ-ＦＩＮＦＥＴ
億恆科技股份公司
案號 0921233282003-08-25IPC H01L27/112
於具１-２Ｆ２胞元之胞元陣列排列中具鉛直記憶體電晶體之半導體記憶體
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921233292003-08-25IPC H01L27/115
具鉛直記憶體電晶體之半導體記憶體及其製造方法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921233302003-08-25IPC H01L27/115
具對稱漏電流補償位元線之靜態隨機存取記憶體
英特爾公司
案號 0921227412003-08-19IPC H01L27/11
半導體記憶元件以及製造半導體元件的方法
史班遜股份有限公司
案號 0921224832003-08-15IPC H01L27/11
非揮發性記憶體陣列結構
旺宏電子股份有限公司
案號 0921224182003-08-14IPC H01L27/112
具有多重程式化通道之快閃記憶體單元胞及快閃記憶體單元胞之程式化方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921222072003-08-13IPC H01L27/115
插栓結構上之電容器
億恆科技股份公司
案號 0921223032003-08-13IPC H01L27/115
非揮發半導儲存元件及其製造與控制方法
億恆科技股份公司
案號 0921220382003-08-11IPC H01L27/112
形成於ＳＯＩ基底上的ＳＲＡＭ
三星電子股份有限公司
案號 0921214522003-08-06IPC H01L27/11
非揮發性半導體裝置
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921207602003-07-30IPC H01L27/115
為改善相鄰記憶胞元干擾的ＯＮＯ快閃記憶體陣列
旺宏電子股份有限公司
案號 0921205632003-07-28IPC H01L27/115
具對稱性選擇電晶體之快閃記憶體的布局
旺宏電子股份有限公司
案號 0921205602003-07-28IPC H01L27/115
製造快閃記憶體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921191442003-07-14IPC H01L27/115