IPC H01L27/11 專利列表
共 124 筆結果
非揮發記憶元件及其製造方法及記憶元件排列
億恆科技股份公司
案號 0921191912003-07-14IPC H01L27/115
非揮發性半導體記憶體裝置及其製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921185462003-07-08IPC H01L27/112
無溝槽隔離轉角的非揮發性記憶體結構
旺宏電子股份有限公司
案號 0921183112003-07-04IPC H01L27/112
雙生位元線分閘快閃記憶體
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921179962003-07-01IPC H01L27/115
雙埠靜態記憶單元與具備此記憶單元之半導體記憶元件
三星電子股份有限公司
案號 0921172362003-06-25IPC H01L27/11
三維立體記憶體及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921170882003-06-24IPC H01L27/112
磁阻隨機存取存儲器裝置
獨立行政法人科學技術振興機構
案號 0921164672003-06-17IPC H01L27/115
一種使用小臨場摻雜多晶矽間隙壁以形成非對稱非揮發性記憶體元件方法
特許半導體製造公司
案號 0921163532003-06-17IPC H01L27/115
用於記憶體與存取裝置之半導體裝置、系統及製造方法
英特爾公司
案號 0921158532003-06-11IPC H01L27/115
非揮發性記憶胞元
億恆科技股份公司
案號 0921151542003-06-03IPC H01L27/115
堆疊閘極快閃記憶體陣列
華邦電子股份有限公司
案號 0921143502003-05-28IPC H01L27/115
可微縮化分閘式快閃記憶細胞元結構及其無接點快閃記憶陣列
矽基科技股份有限公司
案號 0921142992003-05-27IPC H01L27/115
埋入式位元線之製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921141232003-05-26IPC H01L27/112
快閃記憶胞、快閃記憶胞列及其製造方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921138102003-05-22IPC H01L27/115
具有降低待命漏洩電流之靜態隨機存取記憶體及其形成方法
艾基爾系統公司
案號 0921137232003-05-21IPC H01L27/11
具改善可靠性之鐵電記憶積體電路
億恆科技股份公司
案號 0921136622003-05-20IPC H01L27/115
隔離式非揮發記憶細胞元結構及其無接點非揮發記憶陣列
矽基科技股份有限公司
案號 0921131522003-05-15IPC H01L27/112
防止金屬對接觸窗偏移之三明治抗反射層結構
旺宏電子股份有限公司
案號 0921132632003-05-15IPC H01L27/115
非揮發性半導體記憶體裝置及其製造方法
富士通股份有限公司
案號 0921132032003-05-15IPC H01L27/115
半導體裝置
三洋電機股份有限公司
案號 0921130182003-05-14IPC H01L27/115