IPC H01L27/11 專利列表
共 124 筆結果
快閃記憶體元件之結構及其製造方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921007532003-01-15IPC H01L27/115
非揮發性記憶胞結構及其製造方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921007382003-01-14IPC H01L27/112
自動對準分閘式快閃記憶細胞元結構及其無接點快閃記憶陣列
矽基科技股份有限公司
案號 0921001572003-01-03IPC H01L27/115
快閃記憶體及其製造方法
美格納半導體有限公司
案號 0911377422002-12-27IPC H01L27/115
非揮發性半導體記憶裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0911374552002-12-26IPC H01L27/115
非揮發性半導體記憶單元及相關製造方法
億恒科技公司
案號 0911370112002-12-23IPC H01L27/115
非揮發性雙電晶體 - 半導體記憶體單元及相關製造方法
億恒科技公司
案號 0911370122002-12-23IPC H01L27/115
非易失記憶體及其形成方法
飛思卡爾半導體公司
案號 0911365062002-12-18IPC H01L27/115
堆疊閘極式快閃記憶體及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0911364152002-12-17IPC H01L27/112
非揮發性記憶體之結構及其操作方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0911362492002-12-16IPC H01L27/112
快閃記憶體的製造方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0911359502002-12-12IPC H01L27/115
具改良的資料保持之非揮發性記憶裝置及其方法
恩智浦美國公司
案號 0911359602002-12-12IPC H01L27/112
非揮發性半導體記憶裝置及其製造方法
三星電子股份有限公司
案號 0911357362002-12-10IPC H01L27/112
非揮發性半導體記憶體以及其操作方法
三星電子股份有限公司
案號 0911354682002-12-06IPC H01L27/112
具溝渠電晶體之記憶體單元
英飛凌科技股份有限公司
案號 0911354182002-12-06IPC H01L27/115
電子抹除式可程式化邏輯元件及其操作方法
力旺電子股份有限公司
案號 0911353382002-12-05IPC H01L27/115
形成可降低漏電流之電子式程式化唯讀記憶體的方法
力旺電子股份有限公司
案號 0911353392002-12-05IPC H01L27/115
氮化矽唯讀記憶體及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0911350052002-12-03IPC H01L27/112
二電晶體鐵電非揮發性記憶體
夏普股份有限公司
案號 0911347702002-11-29IPC H01L27/115
電子抹除式可程式化邏輯元件
力旺電子股份有限公司
案號 0911341232002-11-22IPC H01L27/115