IPC H01L27/11 專利列表
共 124 筆結果
半導體記憶裝置及對半導體記憶元件之電壓施加方法
松下電器產業股份有限公司
案號 0921067282003-03-25IPC H01L27/115
快閃記憶胞及其製造方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921062542003-03-21IPC H01L27/115
具有位於基底內之選擇閘極的快閃記憶體單元及其製造方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921061402003-03-20IPC H01L27/115
快閃記憶胞、快閃記憶胞之製造方法及其操作方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921061292003-03-20IPC H01L27/115
具高介電物質之矽／氧化物／氮化物／氧化物／矽元件架構
旺宏電子股份有限公司
案號 0921059992003-03-19IPC H01L27/112
形成具有埋覆式源極線與浮閘的浮閘記憶體晶胞之半導體記憶體陣列的自動校準方法與由此方法製得之記憶體陣列
希里康儲存技術公司
案號 0921059582003-03-18IPC H01L27/115
靜態型半導體記憶裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921057532003-03-17IPC H01L27/11
一種具圓弧形狀浮動閘極之分離閘極快閃記憶體單元及其製作方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921057042003-03-14IPC H01L27/115
具有分離式寫入與讀取通道之快閃記憶體及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921054512003-03-13IPC H01L27/115
具有圓柱形基底編碼之高密度快閃記憶體架構
海力士半導體美國公司
案號 0921046702003-03-05IPC H01L27/115
一種半導體記憶裝置
力旺電子股份有限公司
案號 0921043222003-02-27IPC H01L27/112
具有寄生放大器之二位元氮化物唯讀記憶單元、其製造方法以及讀取其記憶狀態之方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921030592003-02-14IPC H01L27/112
磁性隨機存取記憶陣列之窄接觸設計
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921025942003-02-07IPC H01L27/11
靜態半導體記憶裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921024852003-02-07IPC H01L27/11
內嵌單層複晶矽非揮發性記憶體之積體電路
力旺電子股份有限公司
案號 0921020692003-01-29IPC H01L27/115
快閃記憶胞結構及其操作方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921019002003-01-28IPC H01L27/115
立體記憶體陣列
惠普公司
案號 0921018802003-01-28IPC H01L27/112
記憶體單元
億恒科技公司
案號 0921016862003-01-27IPC H01L27/115
使用隧道接面裝置作為控制元件之記憶體結構及方法
惠普公司
案號 0921013932003-01-22IPC H01L27/112
雙位元氮化物唯讀記憶體
聯笙電子股份有限公司
案號 0921010652003-01-20IPC H01L27/115