IPC H01L29/772 專利列表
共 69 筆結果
半導體積體電路裝置及其製造方法
日立製作所股份有限公司
案號 0911353122002-12-05IPC H01L29/772
最小化非平坦性效應之電晶體金屬閘結構及其形成方法
恩智浦美國公司
案號 0911347822002-11-29IPC H01L29/772
具有多晶矽源極接點結構之溝槽金屬氧化半導體場效電晶體裝置
通用半導體股份有限公司
案號 0911337452002-11-19IPC H01L29/772
具有低閘極電荷之溝槽金氧半導體場效電晶體
通用半導體股份有限公司
案號 0911331642002-11-12IPC H01L29/772
半導體裝置及製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0911330582002-11-11IPC H01L29/772
功率金氧半場效電晶體佈局結構
茂德科技股份有限公司
案號 0911328342002-11-07IPC H01L29/772
具有改良汲極接點之溝渠ＤＭＯＳ裝置
通用半導體股份有限公司
案號 0911321732002-10-30IPC H01L29/772
半導體裝置之電漿損害防護電路
旺宏電子股份有限公司
案號 0911322032002-10-30IPC H01L29/772
半導體積體電路裝置
日立製作所股份有限公司
案號 0911320812002-10-29IPC H01L29/772