IPC H01L29/772 專利列表
共 69 筆結果
應變矽鰭形場效電晶體
國立台灣大學
案號 0921077892003-04-04IPC H01L29/772
鍺場效電晶體及其製造方法
萬國商業機器公司
案號 0921073862003-04-01IPC H01L29/772
具低電容值的溝渠式功率型金氧半場效電晶體及製造方法
富鼎先進電子股份有限公司
案號 0921071982003-03-28IPC H01L29/772
場效電晶體及該應用裝置
東芝股份有限公司
案號 0921069842003-03-27IPC H01L29/772
在一延伸式閘極離子感測場效電晶體上製造氮化鈦感測膜之方法
中原大學
案號 0921060672003-03-19IPC H01L29/772
場效電晶體
昆提克股份有限公司
案號 0921059212003-03-18IPC H01L29/772
具有第III/VI族射極之電晶體
惠普研發公司
案號 0921053942003-03-12IPC H01L29/772
溝渠式功率型金氧半場效電晶體的製造方法
富鼎先進電子股份有限公司
案號 0921048562003-03-06IPC H01L29/772
側面擴散金屬氧化半導體電晶體之結構及其製作方法
世界先進積體電路股份有限公司
案號 0921045582003-03-04IPC H01L29/772
具有低導通電阻之高壓功率金屬半場效電晶體
通用半導體股份有限公司
案號 0921035512003-02-20IPC H01L29/772
鰭式場效電晶體布局產生
萬國商業機器公司
案號 0921018262003-01-28IPC H01L29/772
溝槽式金氧半電晶體
宇機科技股份有限公司
案號 0921016022003-01-24IPC H01L29/772
場效電晶體結構及其製程
晶元光電股份有限公司
案號 0921014402003-01-23IPC H01L29/772
具有超薄之應變矽通道之金氧半導體場效電晶體及其製作方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921008572003-01-16IPC H01L29/772
應用於高密度元件之金氧半場效電晶體及其製造方法
宇東科技股份有限公司
案號 0911380672002-12-31IPC H01L29/772
具有雙工作功能閘極之非對稱半導體裝置及其製法
高級微裝置公司
案號 0911374212002-12-26IPC H01L29/772
半導體裝置之電晶體，及其成形之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911372912002-12-25IPC H01L29/772
強化抵抗單一事件破壞之槽狀閘極雙擴散金氧半電晶體之結構及其方法
國立彰化師範大學
案號 0911375562002-12-23IPC H01L29/772
半導體裝置及其製造方法
三洋電機股份有限公司
案號 0911357922002-12-11IPC H01L29/772
高功率│低雜訊微波ＧａＮ異質接合面場效電晶體
荷爾實驗室有限公司
案號 0911355562002-12-06IPC H01L29/772