IPC C23C14/35 專利列表
共 10 筆結果
物理氣相沈積製程及其設備
茂德科技股份有限公司
案號 0931074102004-03-19IPC C23C14/35
製造均勻、等向性應力於一濺鍍膜中之方法與設備
惠瑞捷（新加坡）股份有限公司
案號 0931043632004-02-20IPC C23C14/35
磁控管濺鍍裝置
日本勝利股份有限公司
案號 0921373292003-12-29IPC C23C14/35
濺鍍靶材，濺鍍裝置，及濺鍍方法
三星電子股份有限公司
案號 0921371692003-12-26IPC C23C14/35
箱型對向靶材式濺鍍裝置及化合物薄膜之製造方法
ＦＴＳ股份有限公司
案號 0921361422003-12-19IPC C23C14/35
具有保護構件之電漿處理裝置
松下電器產業股份有限公司
案號 0921356372003-12-16IPC C23C14/35
以鑽石超微粉為靶材沉積含金屬類鑽混合鍍膜之裝置、方法及製成品
于太股份有限公司
案號 0921329882003-11-25IPC C23C14/35
磁控濺鍍系統之可變式靶源機構
財團法人金屬工業研究發展中心
案號 0921318232003-11-13IPC C23C14/35
用於合成材料基體之塗層
應用薄膜兩合股份有限公司
案號 0921307902003-11-04IPC C23C14/35
用於高密度磁性記錄媒體之奈米複合薄膜之製造
中央研究院
案號 0911329122002-11-08IPC C23C14/35