IPC C23C16/455 專利列表
共 13 筆結果
用於控制沉積系統中沉積物形成之方法與裝置及包括彼等之方法
克立公司
案號 0931037612004-02-17IPC C23C16/455
鍍膜裝置和鍍膜方法及該鍍膜裝置專用的鍍膜室
查姆股份有限公司
案號 0931011172004-01-16IPC C23C16/455
高Ｋ值介電材料之滲氮方法
亞菲薩科技公司
案號 0921311242003-11-06IPC C23C16/455
改善純矽玻璃（ＵＳＧ）與磷矽玻璃（ＰＳＧ）的介面缺陷之方法及其產生之含磷結構
旺宏電子股份有限公司
案號 0921165892003-06-18IPC C23C16/455
氧化膜形成方法及氧化膜形成裝置
積水化學工業股份有限公司
案號 0921161402003-06-13IPC C23C16/455
在可調整高度的反應室中之基板上沉積薄膜之方法及裝置
愛思強公司
案號 0921092012003-04-21IPC C23C16/455
化學氣相沈積（ＣＶＤ）裝置及使用該ＣＶＤ裝置之ＣＶＤ裝置的清潔方法
國立研究開發法人產業技術總合研究所
案號 0921067322003-03-26IPC C23C16/455
基板之塗佈方法及進行該方法之裝置
愛斯特隆公司
案號 0921062982003-03-21IPC C23C16/455
用以製造半導體裝置之化學氣相沉積設備的噴頭
周星工程股份有限公司
案號 0921055542003-03-13IPC C23C16/455
藉ALD/CVD方法結合快速熱方法沈積薄層之裝置與方法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921026002003-02-07IPC C23C16/455
化學氣相沈積反應器
華上光電股份有限公司
案號 0921002782003-01-07IPC C23C16/455
基板處理方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0911364592002-12-17IPC C23C16/455
混合器、薄膜製造裝置及薄膜製造方法
愛發科股份有限公司
案號 0911350802002-12-03IPC C23C16/455