IPC H01L21/027 專利列表
共 282 筆結果
在１９３奈米微影技術中減少光阻劑氧化而退化之方法與系統
高級微裝置公司
案號 0911357802002-12-11IPC H01L21/027
製造半導體裝置之方法
海力士半導體有限公司
案號 0911358492002-12-11IPC H01L21/027
微影裝置及元件製造方法
ＡＳＭＬ荷蘭公司
案號 0911355452002-12-09IPC H01L21/027
半導體裝置之製造方法
悠美瑟日本股份有限公司
案號 0911352562002-12-05IPC H01L21/027
光罩形成方法
精工愛普生股份有限公司
案號 0911353182002-12-05IPC H01L21/027
化學放大型光阻組成物、及使用此組成物之半導體裝置之製造方法與半導體基板
瑞薩電子股份有限公司
案號 0911351272002-12-03IPC H01L21/027
半導體功率裝置及其形成方法
恩智浦美國公司
案號 0911347802002-11-29IPC H01L21/027
機台裝置及曝光裝置
尼康股份有限公司
案號 0911345912002-11-28IPC H01L21/027
透明基板之改良微影製程
亞那克斯貝樂斯有限公司
案號 0911346102002-11-28IPC H01L21/027
半導體裝置及其製造方法
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0911345472002-11-27IPC H01L21/027
半導體製程中利用多次曝光降低已存缺陷之影響的方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911345342002-11-27IPC H01L21/027
微影裝置及裝置製造方法
ＡＳＭＬ荷蘭公司
案號 0911344692002-11-27IPC H01L21/027
評價方法及曝光裝置之製造方法
尼康股份有限公司
案號 0911342782002-11-26IPC H01L21/027
於製造半導體及包括微米與次微米輪廓之其它微米元件與奈米元件期間的光學－機械性輪廓製造
應用材料股份有限公司
案號 0911343612002-11-26IPC H01L21/027
覆液顯影方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911341692002-11-25IPC H01L21/027
微鏡元件之製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911341322002-11-22IPC H01L21/027
一種縮小元件臨界尺寸之方法
聯華電子股份有限公司
案號 0911341212002-11-22IPC H01L21/027
用以形成光阻圖案之方法
奇美電子股份有限公司
案號 0911343952002-11-22IPC H01L21/027
降低量測及曝光中電荷累積效應的方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911341352002-11-22IPC H01L21/027
一種影像直接寫入在光阻上期間延長該光阻穩定性之方法
應用材料股份有限公司
案號 0911340062002-11-21IPC H01L21/027