IPC H01L21/26 專利列表
共 72 筆結果
離子植入裝置及離子植入方法
日新意旺機器股份有限公司
案號 0911357232002-12-10IPC H01L21/265
一種利用非晶矽及氧化層堆疊形成奈米級超淺接面之製程
國立交通大學
案號 0911356152002-12-10IPC H01L21/265
光照射裝置及雷射退火裝置
新力股份有限公司
案號 0911352832002-12-05IPC H01L21/268
藉由雷射感應之脫散及再生長的獨立基底
ＣＢＬ技術股份有限公司
案號 0911353852002-12-05IPC H01L21/268
形成不同摻質型矽連線之方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911352672002-12-05IPC H01L21/265
貼合晶圓及貼合晶圓的製造方法
信越半導體股份有限公司
案號 0911348202002-11-29IPC H01L21/265
記錄有控制雷射裝置之程式的電腦可讀取之記錄媒體、雷射處理系統、及儲存有雷射處理系統之程式的電腦可讀取之記錄媒體
半導體能源研究所股份有限公司
案號 0911348322002-11-29IPC H01L21/268
能夠防止上方裂痕和擴大雷射光束的能量窗的雷射鏈接結構及使用其之熔絲盒
三星電子股份有限公司
案號 0911340722002-11-22IPC H01L21/268
雷射退火裝置及薄膜電晶體之製造方法
新力股份有限公司
案號 0911331322002-11-12IPC H01L21/268
具有陣列構形之半導體晶體的薄膜半導體元件及其製法
液晶先端技術開發中心股份有限公司
案號 0911331192002-11-12IPC H01L21/268
減少粒子生成和表面附著力同時維持高熱傳係數之聚合物表面的模製方法
艾克塞利斯科技公司
案號 0911326992002-11-06IPC H01L21/265
編碼佈植製程
旺宏電子股份有限公司
案號 0911325532002-11-05IPC H01L21/265