IPC H01L21/26 專利列表
共 72 筆結果
圖像顯示裝置
南韓商三星顯示器有限公司
案號 0921089152003-04-17IPC H01L21/268
結晶化材料之裝置與方法
液晶先端技術開發中心股份有限公司
案號 0921089732003-04-17IPC H01L21/268
具有磁性組件之電漿處理室與方法
應用材料股份有限公司
案號 0921084732003-04-11IPC H01L21/26
佈植一基材之方法與執行此方法之離子佈植機
應用材料股份有限公司
案號 0921082692003-04-10IPC H01L21/265
用於利用短時間的熱製程之薄膜層的化學形成之方法
維瑞安半導體設備公司
案號 0921080792003-04-09IPC H01L21/265
基材處理室之雷射鑽孔表面
應用材料股份有限公司
案號 0921080462003-04-08IPC H01L21/268
半導體裝置之製造方法
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0921078402003-04-04IPC H01L21/263
半導體裝置及其製造方法
半導體能源研究所股份有限公司
案號 0921075422003-04-02IPC H01L21/263
用於在一半導體形成一接合面之方法及用於將一摻雜物植入一半導體之方法
瓦里安半導體設備聯合公司
案號 0921074172003-04-01IPC H01L21/265
離子佈植系統
台灣茂矽電子股份有限公司
案號 0921072032003-03-28IPC H01L21/265
使用襯層氧化物植入以防止摻雜質自延伸部分離之方法
格羅方德半導體公司
案號 0921062692003-03-21IPC H01L21/266
具有非對稱雙口袋佈植區之電晶體及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921057782003-03-17IPC H01L21/265
圖案描畫方法
三菱電機股份有限公司
案號 0921053452003-03-12IPC H01L21/268
使用多層埋設非晶層的絕緣體上覆半導體之金氧場效電晶體接面降解方法
高級微裝置公司
案號 0921041582003-02-27IPC H01L21/265
將碳化矽薄層轉移至接受基質之方法
斯歐埃技術公司
案號 0921014862003-01-23IPC H01L21/265
鬆弛矽化鍺基體之製造方法
夏普股份有限公司
案號 0921012572003-01-21IPC H01L21/265
半導體裝置及其製造方法
日立製作所股份有限公司
案號 0921004292003-01-09IPC H01L21/265
利用電子束製程增加界面附著性之方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921001262003-01-03IPC H01L21/26
製造p型透光導電膜的方法及其系統
財團法人工業技術研究院
案號 0911380782002-12-31IPC H01L21/26
形成半導體裝置ＥＰＩ通道之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911380132002-12-31IPC H01L21/265