IPC H01L21/28 專利列表
共 138 筆結果
減少表面缺陷之非晶矽層的製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911369302002-12-20IPC H01L21/28
製作半導體元件之方法
聯華電子股份有限公司
案號 0911367322002-12-19IPC H01L21/28
基體聯結型絕緣層上有矽之半導體裝置及其方法
美商ＶＬＳＩ科技有限責任公司
案號 0911365072002-12-18IPC H01L21/28
一種整合高壓元件製程及混合信號元件製程之方法
中芯國際集成電路製造（上海）有限公司
案號 0911364002002-12-17IPC H01L21/28
閘極之製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911358852002-12-11IPC H01L21/28
高壓雙擴散汲極裝置之製程整合方法
中芯國際集成電路製造（上海）有限公司
案號 0911359012002-12-11IPC H01L21/28
高介電質元件及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911358872002-12-11IPC H01L21/283
製造擬似金屬圖案的方法及其裝置
豪威科技股份有限公司
案號 0911358102002-12-11IPC H01L21/283
接觸插塞之製造方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0911351032002-12-03IPC H01L21/28
半導體裝置及半導體裝置之閘極電極的製造方法
ＰＳ４盧克斯科公司
案號 0911349072002-11-29IPC H01L21/28
製造半導體裝置之方法
半導體能源研究所股份有限公司
案號 0911343482002-11-26IPC H01L21/28
快閃記憶體之閘極結構及其製造方法
華邦電子股份有限公司
案號 0911333152002-11-13IPC H01L21/28
源極／汲極元件之製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0911327542002-11-07IPC H01L21/28
避免汲極／源極延伸之超淺層接面發生漏電流的方法
聯華電子股份有限公司
案號 0911328272002-11-07IPC H01L21/28
調整閘極寬度(gate length)的方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911327562002-11-07IPC H01L21/28
不同隔離溝槽深度之記憶體製法及裝置
華邦電子股份有限公司
案號 0911327482002-11-07IPC H01L21/28
形成半導體裝置閘電極的方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911326572002-11-06IPC H01L21/28
雙閘極介電層及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911325892002-11-05IPC H01L21/28