IPC H01L21/28 專利列表
共 138 筆結果
電晶體之源極與汲極之形成方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921033432003-02-18IPC H01L21/28
鰭式場效電晶體之閘極的製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921030262003-02-13IPC H01L21/28
具有負斜率閘極之半導體裝置及其製造方法
三星電子股份有限公司
案號 0921027292003-02-11IPC H01L21/28
組件之製造方法及具金屬層與絕緣層之組件
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921025992003-02-07IPC H01L21/283
半導體裝置之製造方法及加速度感測器
愛爾蘭商桑萊伊存儲有限公司
案號 0921024782003-02-07IPC H01L21/28
半導體元件及其製造方法(一)
富士通半導體股份有限公司
案號 0921020372003-01-29IPC H01L21/28
防止阻障層被過度蝕刻的方法及半導體結構、以及應用上述方法形成接觸窗的方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921017942003-01-28IPC H01L21/28
薄膜電晶體之製造方法
友達光電股份有限公司
案號 0921016982003-01-27IPC H01L21/28
用於增加在ＤＲＡＭ晶胞電容器內之電極表面積的方法
麥可隆技術股份有限公司
案號 0921008162003-01-15IPC H01L21/28
半導體元件的製造方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921007542003-01-15IPC H01L21/28
合金化方法及配線形成方法、顯示元件之形成方法、圖像顯示裝置之製造方法
新力股份有限公司
案號 0921005952003-01-13IPC H01L21/28
一種製作閘極的方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921005692003-01-10IPC H01L21/28
多重閘極結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921003942003-01-09IPC H01L21/28
附有凸塊電極之薄膜片材的製造方法及附有凸塊電極之薄膜片材
篠崎製作所股份有限公司
案號 0921002692003-01-06IPC H01L21/28
金屬膜之製造方法
新力股份有限公司
案號 0921000172003-01-02IPC H01L21/288
降低半導體材料與電極接觸層間介面能階之製造方法
林瑞明
案號 0911382042002-12-31IPC H01L21/283
形成共形矽化鎢之鎢沉積方法
應用材料股份有限公司
案號 0911375612002-12-26IPC H01L21/285
半導體裝置及其製造方法
夏普股份有限公司
案號 0911371292002-12-24IPC H01L21/28
具有隔離功能之閘極電極結構及其製造方法
華邦電子股份有限公司
案號 0911370642002-12-23IPC H01L21/28
半導體元件及其製造方法
茂德科技股份有限公司
案號 0911367852002-12-20IPC H01L21/28