IPC H01L21/30 專利列表
共 510 筆結果
污染物清除方法及半導體裝置製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921024492003-01-30IPC H01L21/306
基板表面上之液體之移除設備及方法
謝育和
案號 0921024432003-01-30IPC H01L21/30
由一帶狀晶片組分離出單獨之疊層晶片組之切割裝置，該分離方法，及製作該切割裝置之方法
聖高拜磨料有限公司
案號 0921022262003-01-30IPC H01L21/304
金屬膜製造裝置及金屬膜製造方法
佳能安內華股份有限公司
案號 0921020082003-01-29IPC H01L21/3065
基板處理裝置及基板處理方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921018662003-01-28IPC H01L21/302
減低污染物在超臨界二氧化碳處理期間生成的方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921017062003-01-27IPC H01L21/304
蝕刻方法以及蝕刻裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921017202003-01-27IPC H01L21/3065
金屬化合物的蝕刻方法以及使用此蝕刻方法製造電晶體之閘極的方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921015732003-01-24IPC H01L21/306
氮化鎵系化合物半導體等之乾蝕刻方法
莎姆克股份有限公司
案號 0921015442003-01-24IPC H01L21/3065
微機電晶圓之單離製程
頎邦科技股份有限公司
案號 0921019132003-01-23IPC H01L21/301
清除溶液、半導體基板之清洗方法、及半導體裝置之製造方法
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0921014302003-01-22IPC H01L21/30
降低微粒質污染之方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921014102003-01-22IPC H01L21/302
基板乾燥方法及裝置
東邦化成股份有限公司
案號 0921012702003-01-21IPC H01L21/302
陽極化裝置，陽極化方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921012402003-01-21IPC H01L21/306
半導體製造裝置、研磨液供給裝置、研磨液特性之檢測方法、以及半導體裝置之製造方法
三菱電機股份有限公司
案號 0921012152003-01-21IPC H01L21/304
感應耦合型電漿蝕刻裝置中使用之氣體擴散板
周星工程股份有限公司
案號 0921012902003-01-21IPC H01L21/3065
表面處理方法、半導體裝置、半導體裝置之製造方法、及處理裝置
新力股份有限公司
案號 0921011142003-01-20IPC H01L21/304
電漿處理裝置及電漿處理方法
液晶先端技術開發中心股份有限公司
案號 0921007812003-01-15IPC H01L21/30
劈開晶圓諸層之程序
斯歐埃技術公司
案號 0921007432003-01-15IPC H01L21/304
保護帶之切斷方法及使用該保護帶之保護帶黏貼裝置
日東電工股份有限公司
案號 0921007472003-01-15IPC H01L21/304