IPC H01L21/30 專利列表
共 510 筆結果
含低介電常數絕緣膜之半導體裝置的製造方法
三洋電機股份有限公司
案號 0921037522003-02-24IPC H01L21/3065
晶圓乾燥方法和裝置
中芯國際集成電路製造有限公司
案號 0921038042003-02-24IPC H01L21/302
電漿處理裝置及電漿處理方法
日立全球先端科技股份有限公司
案號 0921035542003-02-20IPC H01L21/3065
薄半導體晶片及其製造方法
夏普股份有限公司
案號 0921035132003-02-20IPC H01L21/302
使用大氣壓電漿之清淨裝置
雷狄昂技術股份有限公司
案號 0921034532003-02-19IPC H01L21/3065
於多晶矽存在下蝕刻介電材料之方法
台灣茂矽電子股份有限公司
案號 0921034602003-02-19IPC H01L21/306
微針頭陣列製造方法
財團法人工業技術研究院
案號 0921033152003-02-18IPC H01L21/306
晶片上監視系統
東北泰克諾亞奇股份有限公司
案號 0921033022003-02-18IPC H01L21/3065
具平坦化膜之基板、顯示裝置用基板、及該等基板之製造方法
夏普股份有限公司
案號 0921032892003-02-18IPC H01L21/304
晶圓蝕刻製程控制線寬均勻度的方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921031212003-02-14IPC H01L21/306
形成氮化層間隙壁之兩階段氮化矽蝕刻
茂德科技股份有限公司
案號 0921031702003-02-14IPC H01L21/3063
活化Ｐ－型半導體層的方法
洲磊科技股份有限公司
案號 0921030362003-02-14IPC H01L21/30
半導體晶圓之分割方法
迪思科股份有限公司
案號 0921030082003-02-13IPC H01L21/301
用於碟形物件之濕處理的方法
蘭研究公司
案號 0921028822003-02-12IPC H01L21/306
金屬基質之化學－機械研磨方法
默克專利有限公司
案號 0921027702003-02-11IPC H01L21/304
移除負載室內的凝結製程氣體之方法與裝置
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921026012003-02-07IPC H01L21/3065
反應器總成及處理方法
藍姆研究公司
案號 0921024932003-02-07IPC H01L21/3065
低介電常數介電質層的蝕刻方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921024072003-02-06IPC H01L21/3065
薄介電層閘極金屬之高選擇性及無殘餘物蝕刻製程
應用材料股份有限公司
案號 0921024612003-02-06IPC H01L21/3065
開口之製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921024572003-02-06IPC H01L21/3063