IPC H01L21/316 專利列表
共 32 筆結果
半導體裝置之製造方法及半導體製造裝置
日立國際電氣股份有限公司
案號 0921066442003-03-25IPC H01L21/316
製造非晶金屬氧化物薄膜之方法及製造具有非晶金屬氧化物薄膜之電容元件之方法及半導體裝置
新力股份有限公司
案號 0921065092003-03-24IPC H01L21/316
積體電路護層及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921048612003-03-06IPC H01L21/316
以可變化學機械研磨下壓力製造半導體裝置之方法
飛思卡爾半導體公司
案號 0921046742003-03-05IPC H01L21/316
薄膜形成裝置，膜供給機構，膜收容匣，搬運機構、處理裝置以及搬運方法
斯克林集團公司
案號 0921037592003-02-24IPC H01L21/316
在基板表面上形成氧化物層之方法
格羅方德半導體公司
案號 0921033742003-02-19IPC H01L21/316
一種於低壓下選擇性形成薄膜的半導體製程方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921020662003-01-29IPC H01L21/316
半導體元件及其製造方法(二)
富士通股份有限公司
案號 0921020382003-01-29IPC H01L21/316
在一製造步驟中形成具有不同厚度之高品質氧化層之方法及裝置
恩智浦股份有限公司
案號 0921016882003-01-27IPC H01L21/316
氧化膜之製造裝置
液晶先端技術開發中心股份有限公司
案號 0911376182002-12-27IPC H01L21/316
隔離多孔性低介電常數介電薄膜之結構及方法
艾基爾系統公司
案號 0911354322002-12-06IPC H01L21/316
半導體裝置之製造方法
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0911343732002-11-26IPC H01L21/316