IPC H01L21/31 專利列表
共 178 筆結果
有機矽烷，含有機矽氧烷化合物所得絕緣膜用材料，其製造方法及半導體裝置
東曹股份有限公司
案號 0921334182003-11-27IPC H01L21/312
利用氣體佈植在絕緣層上直接獲得應變矽之製程方法
劉致為
案號 0921327592003-11-21IPC H01L21/31
表面改質方法
佳能股份有限公司
案號 0921326102003-11-20IPC H01L21/318
絕緣膜形成裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921321632003-11-17IPC H01L21/31
鑲嵌銅／低介電常數電子元件的側壁保護膜
應用材料股份有限公司
案號 0921317262003-11-12IPC H01L21/31
可拋棄式間隙壁之製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921315922003-11-11IPC H01L21/311
製造半導體元件的方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921311572003-11-07IPC H01L21/31
形成良好方形輪廓之字元線間隙壁的製造方法
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921308212003-11-04IPC H01L21/3105
半導體裝置製造方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0921302942003-10-30IPC H01L21/316
半導體元件以及製造方法
三星電子股份有限公司
案號 0921299912003-10-29IPC H01L21/31
半導體裝置及其製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921298902003-10-28IPC H01L21/318
半導體製造裝置用陶瓷承受器
住友電氣工業股份有限公司
案號 0921295862003-10-24IPC H01L21/31
一種半絕緣區域的製作方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921287532003-10-16IPC H01L21/31
基板處理裝置
日商國際電氣股份有限公司
案號 0921279052003-10-08IPC H01L21/31
蝕刻含矽介電材料之方法
應用材料股份有限公司
案號 0921280082003-10-08IPC H01L21/31
半導體裝置及其製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921277592003-10-07IPC H01L21/316
半導體裝置處理方法
美商英飛凌科技美洲公司
案號 0921269762003-09-30IPC H01L21/316
半導體裝置及製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921270672003-09-30IPC H01L21/316
臭氧處理裝置
住友精密工業股份有限公司
案號 0921262782003-09-24IPC H01L21/316
薄膜形成裝置及方法
安內華股份有限公司
案號 0921255072003-09-16IPC H01L21/31