IPC H01L21/31 專利列表
共 178 筆結果
包含取向生長步驟之ＳＩＣＯＩ型複合基材製造方法
原子能委員會
案號 0921241982003-09-02IPC H01L21/31
改善由含鹵素前驅物與其產物所形成之高溫氧化層品質之方法與裝置
台灣茂矽電子股份有限公司
案號 0921242692003-09-02IPC H01L21/316
Ｓｉ０２／ＳｉＣ 結構中界面狀態之氮鈍化作用
美商沃孚半導體有限公司
案號 0921239692003-08-29IPC H01L21/318
具有傾斜台狀側壁薄膜之半導體裝置的製造方法
ＰＳ４盧克斯科公司
案號 0921227242003-08-19IPC H01L21/31
於半導體基底上形成相鄰孔洞的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921222522003-08-13IPC H01L21/31
製造對紫外光具穿透性之氮化矽薄膜的方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921214322003-08-05IPC H01L21/316
用於透明導電性薄膜之表面保護薄膜及其製造方法，以及具有表面保護薄膜之透明導電性薄膜
日東電工股份有限公司
案號 0921206572003-07-29IPC H01L21/31
將矽基材臭氧氧化以形成高Ｋ值閘堆疊之介面層的方法
艾斯摩美國股份有限公司
案號 0921207062003-07-29IPC H01L21/316
半導體結構之製造方法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921207272003-07-29IPC H01L21/31
層氧化方法及其在基材上之接收裝置
億恆科技股份公司
案號 0921202942003-07-24IPC H01L21/31
具有凹陷抵抗埋入絕緣層之絕緣層上有半導體之結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921198862003-07-21IPC H01L21/31
供犧牲抗反射材料之濕式光阻剝離移除用之組成物及方法
尖端科技材料公司
案號 0921197942003-07-21IPC H01L21/31
半導體裝置之製造方法
東芝股份有限公司
案號 0921198532003-07-21IPC H01L21/31
半導體裝置之製造方法
新力股份有限公司
案號 0921196932003-07-18IPC H01L21/312
氧化膜形成方法、氧化膜形成裝置及電子元件材料
東京威力科創股份有限公司
案號 0921194142003-07-16IPC H01L21/316
半導體裝置
東芝股份有限公司
案號 0921194502003-07-16IPC H01L21/31
半導體製造裝置用陶瓷加熱器
住友電氣工業股份有限公司
案號 0921190142003-07-11IPC H01L21/31
半導體製造裝置用陶瓷加熱器
住友電氣工業股份有限公司
案號 0921190152003-07-11IPC H01L21/31
半導體製造裝置用陶瓷加熱器
住友電氣工業股份有限公司
案號 0921190132003-07-11IPC H01L21/31
形成氮氧化物薄膜之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921188692003-07-10IPC H01L21/31