IPC H01L21/31 專利列表
共 178 筆結果
淺溝渠隔離結構的製造方法
聯華電子股份有限公司
案號 0931014872004-01-20IPC H01L21/311
可分別對雙鑲嵌製程之中介窗與溝槽進行表面處理的方法
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921374382003-12-30IPC H01L21/3105
在半導體裝置中形成穿隧氧化膜之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921371462003-12-26IPC H01L21/316
製造半導體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921369612003-12-26IPC H01L21/31
半導體裝置之製造方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921370452003-12-26IPC H01L21/31
形成微電子電路的元件之方法
英特爾股份有限公司
案號 0921360162003-12-18IPC H01L21/31
平坦化半導體裝置及鈍化層之方法
英特爾股份有限公司
案號 0921360182003-12-18IPC H01L21/31
製造一半導體裝置之方法
恩智浦股份有限公司
案號 0921358032003-12-17IPC H01L21/316
於半導體元件中形成金屬矽化物的方法
南韓商啟方半導體有限公司
案號 0921356652003-12-16IPC H01L21/31
具有可旋轉分配手臂用以分配液體之晶圓追蹤裝置及方法
ＡＳＭＬ控股公司
案號 0921356012003-12-16IPC H01L21/31
具應力加入層之非平坦裝置與其製造方法
英特爾股份有限公司
案號 0921356122003-12-16IPC H01L21/31
適於以良好覆蓋性來形成諸如鉑的傳導膜之半導體元件及其製造方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0921356312003-12-16IPC H01L21/31
完全空乏之絕緣體上有矽（ＳＯＩ）裝置的區域性矽氧化（ＬＯＣＯＳ）隔離
英特爾股份有限公司
案號 0921349122003-12-10IPC H01L21/31
在矽化製程中選擇性移除層之清洗溶液及方法
三星電子股份有限公司
案號 0921343532003-12-05IPC H01L21/311
於半導體製程中改善足部效應缺陷的方法
中芯國際集成電路製造（上海）有限公司
案號 0921345012003-12-05IPC H01L21/31
在低介電係數介電層上形成具有防反射性蓋層之方法
格羅方德半導體公司
案號 0921339682003-12-03IPC H01L21/31
利用聚硫研磨漿進行銅化學機械平坦化組合物及方法
安托菲娜化學公司
案號 0921338542003-12-02IPC H01L21/3105
具有輔助圖案之光罩及使用該光罩之曝光方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921338222003-12-02IPC H01L21/31
臭氧處理裝置
住友精密工業股份有限公司
案號 0921336512003-12-01IPC H01L21/316
臭氧處理裝置
住友精密工業股份有限公司
案號 0921336532003-12-01IPC H01L21/316