IPC H01L21/31 專利列表
共 178 筆結果
氮化矽膜製作方法及氮化矽膜製作裝置
佳能安內華股份有限公司
案號 0921092002003-04-21IPC H01L21/31
複合頻率高溫氮化物化學氣相沉積製程
應用材料股份有限公司
案號 0921091502003-04-18IPC H01L21/31
多重厚度絕緣層製作方法及結構
財團法人工業技術研究院
案號 0921084652003-04-11IPC H01L21/31
圖樣化陶瓷層之方法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921082712003-04-10IPC H01L21/311
高分子材料之合成方法、高分子薄膜之形成方法及層間絕緣膜之形成方法
松下電器產業股份有限公司
案號 0921075092003-04-02IPC H01L21/312
在蝕刻製程後移除高分子的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921072552003-03-31IPC H01L21/3105
電子裝置用材料及其製造方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921074292003-03-31IPC H01L21/318
絕緣膜之形成方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921073162003-03-31IPC H01L21/31
基底絕緣膜之形成方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921074302003-03-31IPC H01L21/31
基板處理方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921072132003-03-27IPC H01L21/318
半導體裝置之製造方法及半導體製造裝置
日立國際電氣股份有限公司
案號 0921066442003-03-25IPC H01L21/316
製造非晶金屬氧化物薄膜之方法及製造具有非晶金屬氧化物薄膜之電容元件之方法及半導體裝置
新力股份有限公司
案號 0921065092003-03-24IPC H01L21/316
半導體裝置
日本電氣股份有限公司
案號 0921057342003-03-14IPC H01L21/31
成膜方法及使用該方法所製造的裝置以及裝置的製造方法
精工愛普生股份有限公司
案號 0921055192003-03-13IPC H01L21/31
維持接觸點間之分離的方法及裝置
桑迪士克科技公司
案號 0921051242003-03-10IPC H01L21/31
積體電路護層及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921048612003-03-06IPC H01L21/316
以可變化學機械研磨下壓力製造半導體裝置之方法
飛思卡爾半導體公司
案號 0921046742003-03-05IPC H01L21/316
連續乾式／濕式／乾式氧化成長氧化層的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921043512003-03-03IPC H01L21/31
基板處理方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921043102003-02-27IPC H01L21/318
半導體或液晶製造裝置
住友電氣工業股份有限公司
案號 0921042382003-02-27IPC H01L21/31