IPC H01L21/31 專利列表
共 178 筆結果
用於半導體加工設備之潔淨鋁合金
應用材料股份有限公司
案號 0921040682003-02-26IPC H01L21/31
薄膜半導體裝置，及其製造方法以及影像顯示裝置
日立製作所股份有限公司
案號 0921039322003-02-25IPC H01L21/31
避免孔隙產生之溝渠填膜方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921039552003-02-25IPC H01L21/31
薄膜形成裝置，膜供給機構，膜收容匣，搬運機構、處理裝置以及搬運方法
斯克林集團公司
案號 0921037592003-02-24IPC H01L21/316
具多層佈線之半導體元件的製造方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0921035372003-02-20IPC H01L21/3105
在基板表面上形成氧化物層之方法
格羅方德半導體公司
案號 0921033742003-02-19IPC H01L21/316
製造半導體元件的方法及形成薄膜的方法
富士通股份有限公司
案號 0921034562003-02-19IPC H01L21/31
在母基材上製設可移除系統的方法，在母基材上製設犧牲釋離層的方法，及藉由上述方法所製設的系統
賓州研究機構
案號 0921034502003-02-19IPC H01L21/31
形成用於高溫氧化物處理之一保護性緩衝層的方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921033412003-02-18IPC H01L21/31
半導體製造方法及半導體製造裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921029432003-02-12IPC H01L21/31
閘極氧化層之製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921021222003-01-30IPC H01L21/31
半導體元件及其製造方法(二)
富士通股份有限公司
案號 0921020382003-01-29IPC H01L21/316
一種於低壓下選擇性形成薄膜的半導體製程方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921020662003-01-29IPC H01L21/316
在一製造步驟中形成具有不同厚度之高品質氧化層之方法及裝置
恩智浦股份有限公司
案號 0921016882003-01-27IPC H01L21/316
矽絕緣層(SOI)晶圓的製造方法以及矽絕緣層(SOI)晶圓
信越半導體股份有限公司
案號 0921001822003-01-06IPC H01L21/31
絕緣層埋入型半導體碳化矽基板的製造方法及其製造裝置
愛沃特股份有限公司
案號 0911377312002-12-27IPC H01L21/31
氧化膜之製造裝置
液晶先端技術開發中心股份有限公司
案號 0911376182002-12-27IPC H01L21/316
量子點之形成方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911368732002-12-20IPC H01L21/311
半導體積體電路裝置製造方法與半導體積體電路裝置
日立製作所股份有限公司
案號 0911363262002-12-17IPC H01L21/31
半導體裝置及其製造方法
三菱電機股份有限公司
案號 0911357812002-12-11IPC H01L21/31