IPC H01L21/31 專利列表
共 178 筆結果
半導體裝置之製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921150402003-06-03IPC H01L21/31
多層式抗反射層以及採用該多層式抗反射層之半導體製程
南亞科技股份有限公司
案號 0921150102003-06-03IPC H01L21/31
縮小導體圖案之間距的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921148852003-06-02IPC H01L21/31
無機多孔質膜之形成方法
松下電器產業股份有限公司
案號 0921141172003-05-26IPC H01L21/316
矽基材表面之二氧化矽膜形成方法、半導體基材表面之氧化膜形成方法、及半導體裝置之製造方法
科學技術振興事業團
案號 0921140302003-05-23IPC H01L21/31
MIM電容器之製造方法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921137772003-05-21IPC H01L21/314
降低後保護層內連線製程之缺陷的方法及結構
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921137812003-05-21IPC H01L21/316
半導體裝置及其製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921136232003-05-20IPC H01L21/31
移除氮化矽層的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921131822003-05-15IPC H01L21/311
電化學氧化方法
松下電工股份有限公司
案號 0921132692003-05-14IPC H01L21/31
形成具有低介電常數之絕緣膜之材料、低介電絕緣膜、用以形成低介電絕緣膜之方法及半導體裝置
松下電器產業股份有限公司
案號 0921130832003-05-14IPC H01L21/31
氮化矽膜、以及半導體裝置以及其製作方法
半導體能源研究所股份有限公司
案號 0921129842003-05-13IPC H01L21/31
窄線寬閘極及導線之製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921126462003-05-09IPC H01L21/314
有機組合物
哈尼威爾國際公司
案號 0921100022003-04-29IPC H01L21/316
製造具有氧化矽／氮化矽／氧化矽層的半導體元件之方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921099602003-04-29IPC H01L21/318
半導體裝置及其製造方法
三菱電機股份有限公司
案號 0921099872003-04-29IPC H01L21/31
電子元件之製造方法
三菱電機股份有限公司
案號 0921098882003-04-28IPC H01L21/31
低溫氧化矽晶圓之方法及裝置
夏普股份有限公司
案號 0921097692003-04-25IPC H01L21/316
形成半導體元件之圖案的方法
海力士半導體有限公司
案號 0921095722003-04-24IPC H01L21/31
低溫氧化矽晶圓之方法及裝置
夏普股份有限公司
案號 0921093802003-04-22IPC H01L21/31