IPC H01L21/32 專利列表
共 175 筆結果
一種閘極氧化層的形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0931071642004-03-17IPC H01L21/324
矽結晶之系統及方法
三星電子股份有限公司
案號 0931067762004-03-12IPC H01L21/324
雷射退火裝置及雷射退火製程
友達光電股份有限公司
案號 0931064272004-03-11IPC H01L21/324
分配裝置
富士通股份有限公司
案號 0931063802004-03-10IPC H01L21/321
半導體裝置及其製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0931055022004-03-03IPC H01L21/3205
矽結晶之系統及方法
三星顯示器有限公司
案號 0931047872004-02-25IPC H01L21/324
半導體基板用熱處理治具及半導體基板的熱處理方法
三菱住友矽晶股份有限公司
案號 0931048102004-02-25IPC H01L21/324
半導體裝置及其製造方法
新力股份有限公司
案號 0931043392004-02-20IPC H01L21/3205
熱互連系統，生產方法及其使用
哈尼威爾國際公司
案號 0931041352004-02-19IPC H01L21/324
補償式高階波板之使用及製造方法及設備
照明家系統股份有限公司
案號 0931037742004-02-17IPC H01L21/3205
用以控制穿透差排密度之具有圖案之應變鬆弛矽鍺磊晶層之製作方法
財團法人工業技術研究院
案號 0931028612004-02-06IPC H01L21/324
薄膜電晶體陣列基板及其修補方法
友達光電股份有限公司
案號 0931025712004-02-05IPC H01L21/322
配線的製作方法
半導體能源研究所股份有限公司
案號 0931024242004-02-03IPC H01L21/3205
半導體裝置及其製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0931011542004-01-16IPC H01L21/3205
增加金屬連線可靠度的結構及其製造方法
友達光電股份有限公司
案號 0931006462004-01-12IPC H01L21/321
半導體裝置之製造方法
聯晶半導體股份有限公司
案號 0931006922004-01-12IPC H01L21/324
增加金屬-絕緣體-金屬電容器之單位面積電容密度的方法
中芯國際集成電路製造（上海）有限公司
案號 0921373352003-12-29IPC H01L21/3205
形成貫穿電極的方法及具有貫穿電極的基材
藤倉股份有限公司
案號 0921358182003-12-17IPC H01L21/3205
具相位改變材料及平行加熱器之電子裝置
恩智浦股份有限公司
案號 0921355832003-12-16IPC H01L21/324
半導體裝置及半導體裝置之製造方法
日商鎧俠股份有限公司
案號 0921341662003-12-04IPC H01L21/3205