IPC H01L21/32 專利列表
共 175 筆結果
電漿輔助燒結
ＢＴＵ國際股份有限公司
案號 0921340432003-12-03IPC H01L21/324
利用先橋式金屬化製造程序之強固超低介電常數內連線結構
英屬開曼群島商格芯公司
案號 0921335062003-11-28IPC H01L21/3205
形成半導體裝置中裝置隔離膜之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921331772003-11-26IPC H01L21/3205
製作阻障層之方法
力晶積成電子製造股份有限公司
案號 0921322992003-11-18IPC H01L21/3205
形成介電層之間黏著力的方法與結構
聯華電子股份有限公司
案號 0921320462003-11-14IPC H01L21/3205
使用磺化兩性劑之銅化學機械拋光溶液
安托菲娜化學公司
案號 0921316562003-11-12IPC H01L21/321
迅速熱退火具有邊緣之多層晶圓的方法
斯歐埃技術公司
案號 0921307682003-11-04IPC H01L21/324
半導體電阻元件及其製造方法
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921308002003-11-04IPC H01L21/3205
可簡化製程之雙鑲嵌製程
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921308182003-11-04IPC H01L21/3213
用於金屬薄膜之原子層沉積的程序
氣體產品及化學品股份公司
案號 0921303332003-10-30IPC H01L21/3205
在多層之半導體結構中形成對準帽蓋金屬線及內連線
萬國商業機器公司
案號 0921302212003-10-30IPC H01L21/3205
半導體元件及其製法
富士通股份有限公司
案號 0921300672003-10-29IPC H01L21/3205
氮化穿隧氧化層的形成方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921298722003-10-28IPC H01L21/3215
半導體元件保護方法
統寶光電股份有限公司
案號 0921297782003-10-27IPC H01L21/322
半導體裝置之製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921294022003-10-23IPC H01L21/324
半導體元件
特利尼提半導體諮詢有限公司
案號 0921294682003-10-23IPC H01L21/3205
銲錫凸塊底部金屬結構之製造方法及具有多數錫銲凸塊之半導體晶圓結構
矽品精密工業股份有限公司
案號 0921292312003-10-22IPC H01L21/326
在金屬層上形成蓋之方法和裝置
英特爾股份有限公司
案號 0921285982003-10-15IPC H01L21/3205
異質接面雙極電晶體及其製造方法
博達科技股份有限公司
案號 0921284922003-10-15IPC H01L21/328
形成光電元件之方法
洲磊科技股份有限公司
案號 0921274732003-10-03IPC H01L21/3205