IPC H01L21/321 專利列表
共 16 筆結果
分配裝置
富士通股份有限公司
案號 0931063802004-03-10IPC H01L21/321
增加金屬連線可靠度的結構及其製造方法
友達光電股份有限公司
案號 0931006462004-01-12IPC H01L21/321
使用磺化兩性劑之銅化學機械拋光溶液
安托菲娜化學公司
案號 0921316562003-11-12IPC H01L21/321
可簡化製程之雙鑲嵌製程
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921308182003-11-04IPC H01L21/3213
氮化穿隧氧化層的形成方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921298722003-10-28IPC H01L21/3215
微細間距金凸塊製程之濺鍍金層濕式蝕刻方法
福陞科技股份有限公司
案號 0921255262003-09-16IPC H01L21/3213
半導體裝置及半導體裝置之製造方法
新力股份有限公司
案號 0921246222003-09-05IPC H01L21/3215
超純水中氫氧自由基清洗晶圓表面的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921241502003-09-01IPC H01L21/321
金屬圖案方法
億恆科技股份公司
案號 0921189302003-07-10IPC H01L21/3213
可撓性基材圖案轉移製程
國立成功大學
案號 0921171682003-07-10IPC H01L21/3213
去除金屬氧化物的方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921178772003-06-30IPC H01L21/3213
高深寬比ＳＯＩ結構使用交替沉積蝕刻和脈衝電漿的無刻痕蝕刻
尤那西斯美國公司
案號 0921170712003-06-24IPC H01L21/3213
具有應變膜之絕緣層上矽裝置及用於形成應變膜之方法
格羅方德半導體公司
案號 0921164982003-06-18IPC H01L21/3213
半導體積體電路裝置及其製造方法
日立製作所股份有限公司
案號 0921138592003-05-22IPC H01L21/321
積體電路裝置及其方法
恩智浦美國公司
案號 0921059072003-03-18IPC H01L21/3213
提升接觸孔側壁對於預清洗蝕刻劑之蝕刻選擇性之方法
應用材料股份有限公司
案號 0911377552002-12-27IPC H01L21/3213