IPC H01L21/32 專利列表
共 175 筆結果
形成光電元件之方法
洲磊科技股份有限公司
案號 0921274732003-10-03IPC H01L21/3205
具變換粒徑之矽層的結構以及藉熱製程形成此結構的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921273942003-10-03IPC H01L21/324
保護層的形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921272672003-10-02IPC H01L21/3205
半導體元件保護方法
統寶光電股份有限公司
案號 0921273392003-10-02IPC H01L21/322
應變鬆弛之矽鍺結晶層製造方法
財團法人工業技術研究院
案號 0921271052003-09-30IPC H01L21/324
用於補償回火非均一性的方法及系統
瓦里安半導體設備聯合公司
案號 0921269932003-09-30IPC H01L21/324
半導體材料晶圓之快速退火方法
斯歐埃技術公司
案號 0921269222003-09-30IPC H01L21/324
半導體裝置及其製造方法
松下電器產業股份有限公司
案號 0921268132003-09-29IPC H01L21/3205
熱處理裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921263262003-09-24IPC H01L21/324
電子裝置之製造方法
希普列公司
案號 0921262922003-09-24IPC H01L21/3205
選擇性電鍍法
威盛電子股份有限公司
案號 0921261412003-09-23IPC H01L21/326
化學電鍍銅方法及其裝置
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921256742003-09-17IPC H01L21/326
利用雷射結晶形成多晶系膜層的方法
統寶光電股份有限公司
案號 0921255792003-09-17IPC H01L21/324
微細間距金凸塊製程之濺鍍金層濕式蝕刻方法
福陞科技股份有限公司
案號 0921255262003-09-16IPC H01L21/3213
在透明基板上設置導電層之方法
輔祥實業股份有限公司
案號 0921247952003-09-08IPC H01L21/3205
半導體裝置及半導體裝置之製造方法
新力股份有限公司
案號 0921246222003-09-05IPC H01L21/3215
超純水中氫氧自由基清洗晶圓表面的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921241502003-09-01IPC H01L21/321
退火晶圓之硼污染消滅方法
三菱住友矽晶股份有限公司
案號 0921239752003-08-29IPC H01L21/324
雷射結晶化處理基材上薄膜區域以提供實質均一性之製程與系統及此種薄膜區域之結構
紐約市哥倫比亞大學理事會
案號 0921227872003-08-19IPC H01L21/324
含加熱蓋之加熱處理站
艾福斯埃國際公司
案號 0921226232003-08-18IPC H01L21/324