IP

IPC H01L21/32 專利列表

共 175 筆結果

形成金屬矽化物層於源極及汲極的方法

南亞科技股份有限公司

案號 0911348132002-11-29IPC H01L21/324

形成複晶矽層的方法以及使用此方法製造複晶矽薄膜電晶體的方法

友達光電股份有限公司

案號 0911346742002-11-28IPC H01L21/3205

縱型熱處理裝置

東京威力科創股份有限公司

案號 0911346452002-11-28IPC H01L21/324

半導體裝置之製造方法及製造裝置

日立製作所股份有限公司

案號 0911345132002-11-27IPC H01L21/3205

熱處理裝置

東京威力科創股份有限公司

案號 0911341892002-11-25IPC H01L21/324

雷射退火裝置及其應用

友達光電股份有限公司

案號 0911340402002-11-22IPC H01L21/324

半導體製造裝置

半導體能源研究所股份有限公司

案號 0911339852002-11-21IPC H01L21/324

用來對半導體晶片加熱之加熱器與其製造方法

周星工程股份有限公司

案號 0911335952002-11-18IPC H01L21/324

半導體晶圓的熱處理方法

牛尾電機股份有限公司

案號 0911335482002-11-15IPC H01L21/324

自我對準之雙閘極薄膜電晶體

台灣積體電路製造股份有限公司

案號 0911330842002-11-11IPC H01L21/328

半導體裝置製造方法及半導體裝置

新光電氣工業股份有限公司

案號 0911328102002-11-07IPC H01L21/3205

雷射照射設備,雷射照射方法,及製造半導體裝置的方法

半導體能源研究所股份有限公司

案號 0911327162002-11-06IPC H01L21/324

改進的熱移除矽上絕緣裝置與製造方法

克立微波公司

案號 0911323962002-11-01IPC H01L21/3205

多晶矽層的製作方法

友達光電股份有限公司

案號 0911322422002-10-31IPC H01L21/324

半導體裝置之製造方法及半導體裝置

日立製作所股份有限公司

案號 0911322552002-10-31IPC H01L21/3205

本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。