IPC H01L21/32 專利列表
共 175 筆結果
積體電路製造過程中之導電層研磨法
台灣茂矽電子股份有限公司
案號 0921034612003-02-19IPC H01L21/3205
形成一直立双閘極半導體裝置之方法及其結構
恩智浦美國公司
案號 0921028592003-02-12IPC H01L21/328
金屬層回火之方法
應用材料股份有限公司
案號 0921028082003-02-11IPC H01L21/324
半導體裝置的製造方法
聯晶半導體股份有限公司
案號 0921025692003-02-07IPC H01L21/324
半導體裝置及半導體裝置之製造方法
東芝股份有限公司
案號 0921021972003-01-30IPC H01L21/322
熱處理裝置及熱處理方法
信越半導體股份有限公司
案號 0921013732003-01-22IPC H01L21/324
半導體裝置及其製造方法
ＰＳ４盧克斯科公司
案號 0921014312003-01-22IPC H01L21/3205
可變電阻裝置之製造方法，非揮發性可變電阻記憶裝置之製造方法，和非揮發性可變電阻記憶裝置
茲諾傑尼克發展有限責任公司
案號 0921008062003-01-15IPC H01L21/3205
安裝有半導體晶片之晶圓
三菱電機股份有限公司
案號 0921002632003-01-07IPC H01L21/322
製造退火晶圓的方法
希特隆股份有限公司
案號 0921001942003-01-06IPC H01L21/324
提升接觸孔側壁對於預清洗蝕刻劑之蝕刻選擇性之方法
應用材料股份有限公司
案號 0911377552002-12-27IPC H01L21/3213
基板處理方法及半導體裝置之製造方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0911375752002-12-26IPC H01L21/324
預熱反應室
友達光電股份有限公司
案號 0911373432002-12-25IPC H01L21/324
一種雷射再結晶的方法
友達光電股份有限公司
案號 0911372192002-12-24IPC H01L21/324
雙載子連接電晶體之結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911363132002-12-16IPC H01L21/328
以二元合金多層沈積改善金屬化結構之電遷移特性之方法
高級微裝置公司
案號 0911360642002-12-13IPC H01L21/3205
矽晶圓及矽晶圓之製造方法
ＳＵＭＣＯ ＴＥＣＨＸＩＶ股份有限公司
案號 0911357012002-12-10IPC H01L21/322
半導體裝置之製造方法
半導體能源研究所股份有限公司
案號 0911355712002-12-09IPC H01L21/324
層堆疊及其製造方法
哈尼威爾國際公司
案號 0911351552002-12-04IPC H01L21/3205
半導體裝置之製造方法
半導體能源研究所股份有限公司
案號 0911348402002-11-29IPC H01L21/324