IPC H01L21/76 專利列表
共 492 筆結果
應變矽於矽鍺上之淺溝隔離結構
萬國商業機器公司
案號 0931038932004-02-18IPC H01L21/76
高放射率電容器結構
高級微裝置公司
案號 0931037172004-02-17IPC H01L21/76
線路載板製程
威盛電子股份有限公司
案號 0931034512004-02-13IPC H01L21/768
深溝槽結構及深溝槽電容器三段式形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0931032562004-02-12IPC H01L21/76
積體電路與其形成方法與電子元件
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931032812004-02-12IPC H01L21/76
改善內連線結構之電性品質的方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931030942004-02-10IPC H01L21/76
改善基底階梯高度的方法
世界先進積體電路股份有限公司
案號 0931029122004-02-09IPC H01L21/76
形成深溝渠儲存裝置頂端的螺栓形導體層之方法
南亞科技股份有限公司
案號 0931027562004-02-06IPC H01L21/76
半導體裝置、半導體裝置之製造方法及半導體裝置之製程評價方法
三菱電機股份有限公司
案號 0931020982004-01-30IPC H01L21/76
製造半導體裝置之方法及使用此方法所得之半導體裝置
恩智浦股份有限公司
案號 0931022022004-01-30IPC H01L21/768
具有高品質因數之電感及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931021122004-01-30IPC H01L21/76
半導體裝置及其製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0931020092004-01-29IPC H01L21/768
半導體裝置及其製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0931018222004-01-28IPC H01L21/768
用於在接觸窗（ＣＷ）孔活性離子蝕刻過程期間降低氧氣擴散至接點插塞的側壁結構及其製造方法
因芬奈昂技術股份有限公司
案號 0931018502004-01-28IPC H01L21/768
用於銅之犧牲金屬襯墊
萬國商業機器公司
案號 0931017762004-01-27IPC H01L21/768
金氧半電晶體之高介電值閘極介電層的製造方法
宇機科技股份有限公司
案號 0931015512004-01-20IPC H01L21/76
供半導體裝置導線用之鈦底層
矽系統工業股份有限公司
案號 0931012662004-01-16IPC H01L21/768
半導體裝置及其製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0931010012004-01-15IPC H01L21/76
包含旋轉塗佈陶瓷薄膜之圖案層
萬國商業機器公司
案號 0931006812004-01-12IPC H01L21/768
製作通孔的方法
大陸商合肥晶合集成電路股份有限公司
案號 0931003842004-01-07IPC H01L21/76