IPC H01L21/76 專利列表
共 492 筆結果
半導體元件及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921372642003-12-29IPC H01L21/768
具有不同厚度之閘氧化層之半導體元件的製造方法
華邦電子股份有限公司
案號 0921369792003-12-26IPC H01L21/76
形成一低Ｋ值（介電常數）雙鑲嵌內連線結構之方法
應用材料股份有限公司
案號 0921371782003-12-26IPC H01L21/768
半導體裝置
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921364832003-12-23IPC H01L21/768
具有高Ｋ閘極介電質的半導體裝置之製造方法
英特爾股份有限公司
案號 0921364312003-12-22IPC H01L21/76
形成快閃記憶裝置位元線之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921364102003-12-22IPC H01L21/76
覆晶封裝導電凸塊結構與形成方法
日月光半導體製造股份有限公司
案號 0921361432003-12-19IPC H01L21/768
形成自動對準接觸窗方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921361462003-12-19IPC H01L21/768
雙溝隔離交叉點記憶體陣列及其製造方法
茲諾傑尼克發展有限責任公司
案號 0921360322003-12-18IPC H01L21/76
一種製作雙鑲嵌式銅導線的方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921359402003-12-18IPC H01L21/768
半導體裝置及其製造方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0921357022003-12-17IPC H01L21/768
半導體裝置之製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921355312003-12-16IPC H01L21/76
製備介電層的方法
考文森智財ＮＢ８６８公司
案號 0921356662003-12-16IPC H01L21/76
形成半導體裝置的金屬線之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921354092003-12-15IPC H01L21/768
半導體裝置及其製造方法
東芝股份有限公司
案號 0921347872003-12-10IPC H01L21/768
電子元件之製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921346742003-12-09IPC H01L21/768
形成位元線接觸窗之方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921345322003-12-08IPC H01L21/768
具金屬氮化物層積體電路裝置之製造方法及積體電路裝置
億恆科技股份公司
案號 0921346232003-12-08IPC H01L21/768
固態攝影裝置及其製造方法
松下電器產業股份有限公司
案號 0921343032003-12-05IPC H01L21/76
自對準埋入帶及具有自對準埋入帶之垂直記憶單元的形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921343132003-12-05IPC H01L21/768