IPC H01L21/76 專利列表
共 492 筆結果
應用於金屬內連線製程的清洗方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921248332003-09-09IPC H01L21/768
金屬內連線製程及清除金屬矽化物層之方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921248372003-09-09IPC H01L21/768
記憶體元件之位元線與位元線接觸窗的製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921248342003-09-09IPC H01L21/76
製造半導體記憶體位元線接觸結構之方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921248022003-09-09IPC H01L21/768
接面隔離主動元件的形成方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921247172003-09-08IPC H01L21/76
一種製作溝渠電容淺溝絕緣之方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921247412003-09-08IPC H01L21/76
縮小臨界尺寸的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921247732003-09-08IPC H01L21/76
具有單側埋入帶之溝槽元件結構及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921244342003-09-04IPC H01L21/76
溝槽頂部角落之圓化方法及淺溝槽隔離結構之形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921244352003-09-04IPC H01L21/76
積體電路互連之金屬-金屬氧化物蝕刻停止／屏障之形成方法及裝置
英特爾公司
案號 0921244712003-09-04IPC H01L21/768
接觸插塞之製作方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921243012003-09-03IPC H01L21/76
通孔內襯積體化以避免阻抗轉移及抵抗機械應力
億恆科技股份公司
案號 0921244022003-09-03IPC H01L21/768
內層介電層之製作方法及防止形成接觸窗蝕刻缺陷之方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921243022003-09-03IPC H01L21/76
形成接觸的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921242182003-09-02IPC H01L21/76
形成接觸的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921242162003-09-02IPC H01L21/76
具溝渠隔離結構之功率電晶體結構及其製造方法
富鼎先進電子股份有限公司
案號 0921242572003-09-02IPC H01L21/76
製造鑲嵌金屬互連之方法
恩智浦股份有限公司
案號 0921240922003-09-01IPC H01L21/768
改良之通道接觸點形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921240582003-09-01IPC H01L21/76
形成螺栓導體層於垂直式記憶體元件之方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921240882003-09-01IPC H01L21/76
半導體裝置之製造方法
新力股份有限公司
案號 0921240952003-09-01IPC H01L21/768