IPC H01L21/822 專利列表
共 25 筆結果
金氧半導體電晶體的製造方法
聯華電子股份有限公司
案號 0931054832004-03-03IPC H01L21/8228
雙重金屬矽化閘極之金氧半電場效晶體
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931054462004-03-02IPC H01L21/8222
對接觸孔形成所造成損害有抗性之電荷捕捉記憶體陣列
賽普拉斯半導體公司
案號 0931013432004-01-19IPC H01L21/8229
製備半導體元件之電容器的方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921356692003-12-16IPC H01L21/822
製造電容器排列之方法及電容器排列
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921329692003-11-24IPC H01L21/822
雙電晶體ＮＯＲ閘裝置
格羅方德半導體公司
案號 0921308862003-11-05IPC H01L21/8226
積體電路裝置及經由單接腳施加不同種類訊號至內部電路之方法
三星電子股份有限公司
案號 0921291532003-10-21IPC H01L21/822
具有減少的主動區域缺陷及獨特連接機制之半導體裝置
諾伯高點科技公司
案號 0921282882003-10-13IPC H01L21/822
電晶體結構之製造方法
億恆科技股份公司
案號 0921278802003-10-07IPC H01L21/8222
非揮發記憶體的結構與製造方法
力晶積成電子製造股份有限公司
案號 0921267932003-09-29IPC H01L21/8229
記憶體電路製作方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921261862003-09-23IPC H01L21/8229
半導體裝置及其製造方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921194042003-07-16IPC H01L21/8229
具閘極間隙壁之金氧半元件及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921186802003-07-09IPC H01L21/8228
半導體記憶裝置及其製造方法
史班遜股份有限公司
案號 0921179132003-06-30IPC H01L21/8229
半導體元件
富士通半導體股份有限公司
案號 0921161132003-06-13IPC H01L21/822
包含鐵電式電容器之半導體裝置及其製造方法
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0921145352003-05-29IPC H01L21/8229
半導體元件
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0921128772003-05-13IPC H01L21/822
具有重新對準射極之雙極電晶體的製造方法
萬國商業機器公司
案號 0921128032003-05-12IPC H01L21/8226
半導體裝置及其製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921124452003-05-07IPC H01L21/822
字元線交接點佈局結構
旺宏電子股份有限公司
案號 0921099612003-04-29IPC H01L21/8229