IPC H01L21/8238 專利列表
共 45 筆結果
具凹陷通道之金氧半場效應電晶體之製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911367492002-12-19IPC H01L21/8238
在積體電路之橫向金氧半場效電晶體結構中分離區域之自我對準
因特希爾公司
案號 0911338432002-11-20IPC H01L21/8238
半導體裝置及製造方法
日立製作所股份有限公司
案號 0911335492002-11-15IPC H01L21/8238
多臨界電壓ＣＭＯＳ製程最佳化之方法
矽統科技股份有限公司
案號 0911326892002-11-06IPC H01L21/8238
半導體積體電路
日立製作所股份有限公司
案號 0911325092002-11-04IPC H01L21/8238