IPC H01L21/8238 專利列表
共 45 筆結果
影像感測器及影像感測器模組
日商富士通半導體股份有限公司
案號 0921199512003-07-22IPC H01L21/8238
Ｐ型ＧaAs基板ＺnＳe系pin光電二極體及p型ＧaＡs基板ＺnＳe系雪崩光電二極體
住友電氣工業股份有限公司
案號 0921196962003-07-18IPC H01L21/8238
影像感測晶片封裝製程
家程科技股份有限公司
案號 0921189332003-07-11IPC H01L21/8238
金氧半元件結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921180352003-07-02IPC H01L21/8238
藉由植入Ｎ型與Ｐ型群聚離子與負離子製造互補金屬氧化半導體裝置之方法
山米奎普公司
案號 0921173242003-06-25IPC H01L21/8238
半導體裝置及其製造方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0921169672003-06-23IPC H01L21/8238
半導體元件之製造方法及半導體元件
夏普股份有限公司
案號 0921166612003-06-19IPC H01L21/8238
可改善元件特性之高壓元件製造方法
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921160862003-06-13IPC H01L21/8238
來自體型半導體之鰭式場效電晶體裝置及其形成之方法
美商格芯（美國）集成電路科技有限公司
案號 0921149012003-06-02IPC H01L21/8238
ＣＭＯＳ影像感測元件的佈局
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921137362003-05-21IPC H01L21/8238
影像感測器之單層導線架二次半蝕刻製程與封裝結構
王鴻仁
案號 0921091672003-04-16IPC H01L21/8238
影像感測器封裝及應用該影像感測器之影像擷取模組
謝志鴻
案號 0921091702003-04-16IPC H01L21/8238
形成具有非線性延伸浮動閘極之浮動閘極記憶體晶胞之半導體記憶陣列的自動校準方法及由此方法製成之記憶陣列
希里康儲存技術公司
案號 0921058212003-03-17IPC H01L21/8238
高效能ＣＭＯＳ之改良凸起延伸結構
億恆科技股份公司
案號 0921044562003-03-03IPC H01L21/8238
具有不同金屬矽氧化物部分之半導體裝置，及半導體裝置之製造方法
格羅方德半導體公司
案號 0921041562003-02-27IPC H01L21/8238
互補式金氧半導體薄膜電晶體元件之製造方法
統寶光電股份有限公司
案號 0921039192003-02-25IPC H01L21/8238
生產ＣＭＯＳ裝置之方法
夏普股份有限公司
案號 0921020102003-01-29IPC H01L21/8238
用以製造應變矽互補式金屬氧化物半導體應用之高品質鬆弛絕緣層上矽鍺之方法
美商格芯（美國）集成電路科技有限公司
案號 0921014662003-01-23IPC H01L21/8238
具有毫微管技術構成之單元選擇電路的電機記憶體
奈特洛公司
案號 0921004522003-01-10IPC H01L21/8238
金屬氧化物半導體(MOS)電晶體及其製造方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911380122002-12-31IPC H01L21/8238