IPC H01L21/82 專利列表
共 425 筆結果
具有重新對準射極之雙極電晶體的製造方法
萬國商業機器公司
案號 0921128032003-05-12IPC H01L21/8226
半導體積體電路的設計裝置及設計方法
東芝股份有限公司
案號 0921126832003-05-09IPC H01L21/82
可在高低電壓環境操作之單級可程式電氣抹除式唯讀記憶體的形成製程
聯華電子股份有限公司
案號 0921126782003-05-09IPC H01L21/8247
半導體積體電路及其製造方法
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0921126722003-05-09IPC H01L21/82
溝槽式電容的形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921126502003-05-09IPC H01L21/8242
疊堆閘非揮發記憶細胞元結構及其無接點非揮發記憶陣列
矽基科技股份有限公司
案號 0921125122003-05-08IPC H01L21/8247
半導體裝置及其製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921124452003-05-07IPC H01L21/822
包含一具有記憶體電晶體及選擇電晶體的記憶單元的非揮發性記憶體之半導體裝置製造方法
恩智浦股份有限公司
案號 0921122242003-05-05IPC H01L21/8246
具有部分垂直通道之記憶單元之主動區自對準製程
南亞科技股份有限公司
案號 0921121022003-05-02IPC H01L21/8242
量子結構及其形成方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921121442003-05-02IPC H01L21/82
具磁性材料層半導體元件之表面平滑導電層
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921120462003-05-01IPC H01L21/8239
EEPROM 結構之製造方法
艾特梅爾公司
案號 0921101242003-04-30IPC H01L21/8247
ＮＲＯＭ記憶胞元電路之製造方法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921100692003-04-29IPC H01L21/8247
字元線交接點佈局結構
旺宏電子股份有限公司
案號 0921099612003-04-29IPC H01L21/8229
形成垂直式電晶體以及溝槽式電容的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921099752003-04-29IPC H01L21/8239
一種系統整合晶片的製作方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921097982003-04-25IPC H01L21/8248
一種系統整合晶片
旺宏電子股份有限公司
案號 0921097992003-04-25IPC H01L21/8246
四位元記憶單元及其佈局
應用智慧股份有限公司
案號 0921095502003-04-24IPC H01L21/8239
調整罩幕式唯讀記憶體啟始電壓的方法以及罩幕式唯讀記憶體之製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921094662003-04-23IPC H01L21/8246
整合微機電裝置及積體電路之製造流程的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921094672003-04-23IPC H01L21/822