IPC H01L21/82 專利列表
共 425 筆結果
具有縮短的襯墊間距之半導體積體電路
索思未來股份有限公司
案號 0921128192003-05-12IPC H01L21/82
可在高低電壓環境操作之單級可程式電氣抹除式唯讀記憶體的形成製程
聯華電子股份有限公司
案號 0921126782003-05-09IPC H01L21/8247
溝槽式電容的形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921126502003-05-09IPC H01L21/8242
半導體積體電路的設計裝置及設計方法
東芝股份有限公司
案號 0921126832003-05-09IPC H01L21/82
半導體積體電路及其製造方法
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0921126722003-05-09IPC H01L21/82
疊堆閘非揮發記憶細胞元結構及其無接點非揮發記憶陣列
矽基科技股份有限公司
案號 0921125122003-05-08IPC H01L21/8247
半導體裝置及其製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921124452003-05-07IPC H01L21/822
包含一具有記憶體電晶體及選擇電晶體的記憶單元的非揮發性記憶體之半導體裝置製造方法
恩智浦股份有限公司
案號 0921122242003-05-05IPC H01L21/8246
量子結構及其形成方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921121442003-05-02IPC H01L21/82
具有部分垂直通道之記憶單元之主動區自對準製程
南亞科技股份有限公司
案號 0921121022003-05-02IPC H01L21/8242
具磁性材料層半導體元件之表面平滑導電層
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921120462003-05-01IPC H01L21/8239
EEPROM 結構之製造方法
艾特梅爾公司
案號 0921101242003-04-30IPC H01L21/8247
形成垂直式電晶體以及溝槽式電容的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921099752003-04-29IPC H01L21/8239
字元線交接點佈局結構
旺宏電子股份有限公司
案號 0921099612003-04-29IPC H01L21/8229
ＮＲＯＭ記憶胞元電路之製造方法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921100692003-04-29IPC H01L21/8247
一種系統整合晶片
旺宏電子股份有限公司
案號 0921097992003-04-25IPC H01L21/8246
一種系統整合晶片的製作方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921097982003-04-25IPC H01L21/8248
四位元記憶單元及其佈局
應用智慧股份有限公司
案號 0921095502003-04-24IPC H01L21/8239
整合微機電裝置及積體電路之製造流程的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921094672003-04-23IPC H01L21/822
形成瓶型溝槽之方法及瓶型溝槽電容之製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921094612003-04-23IPC H01L21/8234