IPC H01L21/82 專利列表
共 425 筆結果
調整罩幕式唯讀記憶體啟始電壓的方法以及罩幕式唯讀記憶體之製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921094662003-04-23IPC H01L21/8246
多位元罩幕式記憶單元及其製造方法與讀取的操作方法
應用智慧股份有限公司
案號 0921092872003-04-22IPC H01L21/8246
影像感測器之單層導線架二次半蝕刻製程與封裝結構
王鴻仁
案號 0921091672003-04-16IPC H01L21/8238
影像感測器封裝及應用該影像感測器之影像擷取模組
謝志鴻
案號 0921091702003-04-16IPC H01L21/8238
製造電晶體之方法
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0921086302003-04-15IPC H01L21/8232
快閃記憶體之製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921085062003-04-14IPC H01L21/8247
製造氮化矽唯讀記憶體的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921083382003-04-11IPC H01L21/8246
利用遮蔽式鳥嘴改善高密度快閃記憶體之穿隧氧化層邊緣之電崩潰的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921083262003-04-10IPC H01L21/8247
應用於罩幕式唯讀記憶體編碼佈植之微影製程
旺宏電子股份有限公司
案號 0921082012003-04-10IPC H01L21/8246
具有均勻摻雜的通道與邊緣終止技術的低電壓高密度的溝槽式閘通功率裝置及方法
菲爾恰爾半導體公司
案號 0921080532003-04-08IPC H01L21/8232
具犧牲層的嵌入式非揮發性記憶體之製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921078312003-04-04IPC H01L21/8246
具有層狀閘極電極之半導體裝置的製造方法
爾必達存儲器股份有限公司
案號 0921076862003-04-04IPC H01L21/8242
虛接地陣列之混合信號嵌入式遮罩唯讀記憶體及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921078322003-04-04IPC H01L21/8246
在嵌刻結構中製造磁性隨機存取記憶體（ＭＲＡＭ）偏置胞元的方法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921075622003-04-02IPC H01L21/8239
自我對準多階虛接地罩幕式唯讀記憶體之製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921070532003-03-28IPC H01L21/8246
自對準可程式化相變化記憶裝置
旺宏電子股份有限公司
案號 0921072042003-03-28IPC H01L21/8239
具有位元線隔離之記憶體製造方法
賽普拉斯半導體公司
案號 0921068832003-03-27IPC H01L21/8247
唯讀記憶體的製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921067412003-03-26IPC H01L21/8246
記憶體字線硬遮罩延伸結構
賽普拉斯半導體公司
案號 0921064722003-03-24IPC H01L21/8247
形成於多厚度埋置氧化層上之半導體元件，及製造此半導體元件之方法
格羅方德半導體公司
案號 0921064642003-03-24IPC H01L21/8232