IPC H01L21/82 專利列表
共 425 筆結果
半導體裝置之製造方法
三菱電機股份有限公司
案號 0921030422003-02-14IPC H01L21/8242
用於記憶體元件而不會使位元線短路之硬光罩方法
賽普拉斯半導體公司
案號 0921029532003-02-13IPC H01L21/82
半導體記憶體元件之製造方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0921022792003-01-30IPC H01L21/8239
分離閘極式快閃記憶體元件之製造方法
笙泉科技股份有限公司
案號 0921019272003-01-29IPC H01L21/8246
一種可與標準邏輯製程相容之唯讀記憶體及其製作方法
力旺電子股份有限公司
案號 0921020682003-01-29IPC H01L21/8247
生產ＣＭＯＳ裝置之方法
夏普股份有限公司
案號 0921020102003-01-29IPC H01L21/8238
記憶體胞元製造方法及記憶體胞元構形
億恆科技股份公司
案號 0921017482003-01-27IPC H01L21/8247
罩幕式唯讀記憶體的製造方法及其結構
旺宏電子股份有限公司
案號 0921015552003-01-24IPC H01L21/8246
製造在介電層中電容器之方法
億恒科技公司
案號 0921015842003-01-24IPC H01L21/822
快閃記憶體的製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921015562003-01-24IPC H01L21/8247
具有自行對準接觸窗之記憶體元件的製造方法及結構
旺宏電子股份有限公司
案號 0921014392003-01-23IPC H01L21/8246
用以製造應變矽互補式金屬氧化物半導體應用之高品質鬆弛絕緣層上矽鍺之方法
美商格芯（美國）集成電路科技有限公司
案號 0921014662003-01-23IPC H01L21/8238
一種鐵電層電極結構及製造方法
國立交通大學
案號 0921011642003-01-20IPC H01L21/8239
具有尖角狀浮動閘極之溝槽型堆疊閘極式記憶單元及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921009812003-01-17IPC H01L21/8247
隔離式疊堆閘快閃細胞元結構及其無接點快閃記憶陣列
矽基科技股份有限公司
案號 0921011912003-01-17IPC H01L21/8247
具有一個高耦合比之疊堆閘快閃細胞元結構及其無接點快閃記憶陣列
矽基科技股份有限公司
案號 0921011542003-01-16IPC H01L21/8247
雙位元漂浮閘細胞元結構及其無接點快閃記憶陣列
矽基科技股份有限公司
案號 0921011532003-01-16IPC H01L21/8247
具有毫微管技術構成之單元選擇電路的電機記憶體
奈特洛公司
案號 0921004522003-01-10IPC H01L21/8238
一種製作ＤＲＡＭ之記憶單胞的方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921005732003-01-10IPC H01L21/8242
半導體裝置的製造方法
三肯電氣股份有限公司
案號 0921003432003-01-08IPC H01L21/8249