IPC H01L21/82 專利列表
共 425 筆結果
插塞結構之電容器阻障
奇夢達股份有限公司
案號 0921064162003-03-21IPC H01L21/8239
於間距縮小製程中整合記憶胞陣列區與周邊電路區的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921061332003-03-20IPC H01L21/8239
半導體元件
富士通半導體股份有限公司
案號 0921060912003-03-19IPC H01L21/82
半導體製程
旺宏電子股份有限公司
案號 0921058592003-03-18IPC H01L21/8242
形成具有非線性延伸浮動閘極之浮動閘極記憶體晶胞之半導體記憶陣列的自動校準方法及由此方法製成之記憶陣列
希里康儲存技術公司
案號 0921058212003-03-17IPC H01L21/8238
垂直式氮化物唯讀記憶單元及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921055862003-03-14IPC H01L21/8246
在半導體基材上製造多個高度相近且間隔相同閘極堆疊的方法
億恆科技股份公司
案號 0921055252003-03-13IPC H01L21/8234
半導體積體電路裝置之製造方法
日立製作所股份有限公司
案號 0921054782003-03-13IPC H01L21/82
快閃記憶體之記憶胞結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921045542003-03-04IPC H01L21/8247
半導體積體電路
富士通半導體股份有限公司
案號 0921044082003-03-03IPC H01L21/82
高效能ＣＭＯＳ之改良凸起延伸結構
億恆科技股份公司
案號 0921044562003-03-03IPC H01L21/8238
嵌入式記憶體之製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921044472003-03-03IPC H01L21/8239
具有不同金屬矽氧化物部分之半導體裝置，及半導體裝置之製造方法
格羅方德半導體公司
案號 0921041562003-02-27IPC H01L21/8238
半導體記憶裝置及其製造方法
東芝股份有限公司
案號 0921040342003-02-26IPC H01L21/8247
快閃記憶體的結構及其製造方法
華邦電子股份有限公司
案號 0921038712003-02-25IPC H01L21/8247
互補式金氧半導體薄膜電晶體元件之製造方法
統寶光電股份有限公司
案號 0921039192003-02-25IPC H01L21/8238
升高電位產生電路及控制方法
愛爾蘭商經度授權有限公司
案號 0921037382003-02-21IPC H01L21/8242
使用多層阻抗堆疊製造層疊結構之方法及其使用
飛思卡爾半導體公司
案號 0921035272003-02-20IPC H01L21/8232
快閃記憶體之製造方法
華邦電子股份有限公司
案號 0921033632003-02-19IPC H01L21/8247
非揮發性積體記憶體元件內之內多晶矽氧化物(INTERPOLY OXIDES)的原子層沈積作用
台灣茂矽電子股份有限公司
案號 0921033422003-02-18IPC H01L21/8246