IPC H01L21/82 專利列表
共 425 筆結果
半導體裝置及其製造方法
三菱電機股份有限公司
案號 0921003372003-01-08IPC H01L21/8242
形成快閃記憶體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911380342002-12-31IPC H01L21/8247
金屬氧化物半導體(MOS)電晶體及其製造方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911380122002-12-31IPC H01L21/8238
形成半導體裝置之電晶體之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911380522002-12-31IPC H01L21/8232
偵測、識別與修正處理效能之方法
東京威力科創有限公司
案號 0911380482002-12-31IPC H01L21/8246
製造半導體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911380242002-12-31IPC H01L21/8239
多位元記憶單元及其製造方法及其操作方法
應用智慧股份有限公司
案號 0911376572002-12-27IPC H01L21/8247
快閃記憶體之製造方法
力晶積成電子製造股份有限公司
案號 0911376352002-12-27IPC H01L21/8239
機電三層接合裝置之製法
奈特洛公司
案號 0911375622002-12-27IPC H01L21/8229
具有高耦合比之快閃記憶體裝置及其製造方法
華邦電子股份有限公司
案號 0911372152002-12-24IPC H01L21/8247
非揮發性記憶體及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0911369802002-12-23IPC H01L21/8246
記憶元件及製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0911370812002-12-23IPC H01L21/8247
具有位於資料層內之受控晶核點的磁性記憶體元件
惠普公司
案號 0911370482002-12-23IPC H01L21/8239
罩幕式唯讀記憶體的製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0911369812002-12-23IPC H01L21/8246
半導體裝置之製造方法
三菱電機股份有限公司
案號 0911367812002-12-20IPC H01L21/822
具凹陷通道之金氧半場效應電晶體之製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911367492002-12-19IPC H01L21/8238
形成位元線接觸的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0911366902002-12-19IPC H01L21/8242
非揮發記憶元件
力旺電子股份有限公司
案號 0911365782002-12-18IPC H01L21/8239
製造快閃記憶體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911364362002-12-17IPC H01L21/8247
具有磁場沉降層之磁阻儲存元件
惠普公司
案號 0911363732002-12-17IPC H01L21/8239