IPC H01L21/82 專利列表
共 425 筆結果
半導體記憶裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0911340582002-11-22IPC H01L21/8242
記憶體系統及其製法
三星電子股份有限公司
案號 0911341132002-11-22IPC H01L21/8239
在積體電路之橫向金氧半場效電晶體結構中分離區域之自我對準
因特希爾公司
案號 0911338432002-11-20IPC H01L21/8238
垂直式氮化物唯讀記憶單元及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0911335972002-11-18IPC H01L21/8246
半導體裝置及製造方法
日立製作所股份有限公司
案號 0911335492002-11-15IPC H01L21/8238
半導體裝置
德塞拉先進技術公司
案號 0911331412002-11-12IPC H01L21/8247
製造快閃記憶體單元之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911330132002-11-11IPC H01L21/8247
製造快閃記憶體單元之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911330342002-11-11IPC H01L21/8247
製造快閃記憶體單元之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911330332002-11-11IPC H01L21/8247
製造快閃記憶體單元之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911330392002-11-11IPC H01L21/8247
製造快閃記憶體單元之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911330362002-11-11IPC H01L21/8247
形成雙輸出端（Ｄｕａｌ│Ｐｏｒｔ）ＤＲＡＭ記憶體的方法和其記憶胞佈局
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911329492002-11-08IPC H01L21/8242
快閃記憶體浮置閘極的製造方法
華邦電子股份有限公司
案號 0911329822002-11-08IPC H01L21/8239
製造快閃記憶體胞之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911326642002-11-06IPC H01L21/8247
製造氮化矽唯讀記憶體的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0911326542002-11-06IPC H01L21/8246
具熔絲之半導體裝置及其製造方法
山葉股份有限公司
案號 0911328552002-11-06IPC H01L21/82
多臨界電壓ＣＭＯＳ製程最佳化之方法
矽統科技股份有限公司
案號 0911326892002-11-06IPC H01L21/8238
半導體積體電路
日立製作所股份有限公司
案號 0911325092002-11-04IPC H01L21/8238
在磁阻隨機存取記憶體裝置中低功率程式化之窄空隙包層場效應加強
艾爾斯賓科技公司
案號 0911324002002-11-01IPC H01L21/8239
使用介電儲存元件的多態非揮發積體電路記憶體系統
桑迪士克科技公司
案號 0911321822002-10-30IPC H01L21/8247