IPC H01L21/82 專利列表
共 425 筆結果
罩幕式唯讀記憶體之製造方法
東部電子股份有限公司
案號 0911364472002-12-17IPC H01L21/8246
垂直式氮化物唯讀記憶單元之製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0911364142002-12-17IPC H01L21/8246
使用蕭基特二極體之磁性隨機記憶體
海力士半導體股份有限公司
案號 0911362562002-12-16IPC H01L21/8239
非揮發性記憶體之結構及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0911362482002-12-16IPC H01L21/8246
分離閘極式快閃記憶體之製造方法及結構
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911363142002-12-16IPC H01L21/8239
記憶體晶胞隔離技術
惠普公司
案號 0911362992002-12-16IPC H01L21/8239
記憶體的製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0911362502002-12-16IPC H01L21/8239
瓶型溝槽的製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0911358522002-12-11IPC H01L21/8242
多位元快閃記憶體及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0911356282002-12-10IPC H01L21/8239
具有高性能積體電路多晶矽凝集熔消元件之互補金氧半導體之製法
格羅方德半導體公司
案號 0911356392002-12-10IPC H01L21/8228
具有改良耦合率之浮置閘極以及快閃記憶體的製造方法
世界先進積體電路股份有限公司
案號 0911354062002-12-06IPC H01L21/8247
一種奈米碳管場發射裝置
鴻海精密工業股份有限公司
案號 0911351182002-12-04IPC H01L21/8232
動態隨機存取記憶體之位元線結構以及其形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0911349452002-12-02IPC H01L21/8242
一種嵌入式記憶體的製作方法
力旺電子股份有限公司
案號 0911346882002-11-29IPC H01L21/8247
單一電晶體型隨機存取記憶體的製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911348142002-11-29IPC H01L21/8239
用以定義源極、汲極及其間之間隙之方法
皇家飛利浦電子股份有限公司
案號 0911347872002-11-29IPC H01L21/8232
快閃記憶體的結構及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0911344142002-11-27IPC H01L21/8239
具有高介電常數穿隧介電層之唯讀記憶體的結構與製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0911344152002-11-27IPC H01L21/8246
製造半導體裝置之方法
恩智浦股份有限公司
案號 0911343232002-11-26IPC H01L21/8232
半導體記憶體中記憶體單元陣列之記憶體單元之製造方法
億恒科技公司
案號 0911340852002-11-22IPC H01L21/8242