IPC H01L27/115 專利列表
共 75 筆結果
非揮發快閃半導體記憶體及製造方法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921120442003-05-01IPC H01L27/115
具至少部份位於半導體基材溝槽中浮動閘之非揮發性記憶胞元
台灣茂矽電子股份有限公司
案號 0921102182003-04-30IPC H01L27/115
非揮發性記憶體之編碼及抹除操作方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921098622003-04-28IPC H01L27/115
自對準雙位元非揮發性記憶胞及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921095712003-04-24IPC H01L27/115
非揮發性半導體記憶裝置及其製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921088262003-04-16IPC H01L27/115
分離閘極快閃記憶體胞及其製造方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921076032003-04-03IPC H01L27/115
雙位元分離閘極快閃記憶體及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921070512003-03-28IPC H01L27/115
快閃記憶胞及其製造方法
華邦電子股份有限公司
案號 0921067392003-03-26IPC H01L27/115
浮動閘極的形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921066052003-03-25IPC H01L27/115
半導體記憶裝置及對半導體記憶元件之電壓施加方法
松下電器產業股份有限公司
案號 0921067282003-03-25IPC H01L27/115
快閃記憶胞及其製造方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921062542003-03-21IPC H01L27/115
具有位於基底內之選擇閘極的快閃記憶體單元及其製造方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921061402003-03-20IPC H01L27/115
快閃記憶胞、快閃記憶胞之製造方法及其操作方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921061292003-03-20IPC H01L27/115
形成具有埋覆式源極線與浮閘的浮閘記憶體晶胞之半導體記憶體陣列的自動校準方法與由此方法製得之記憶體陣列
希里康儲存技術公司
案號 0921059582003-03-18IPC H01L27/115
一種具圓弧形狀浮動閘極之分離閘極快閃記憶體單元及其製作方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921057042003-03-14IPC H01L27/115
具有分離式寫入與讀取通道之快閃記憶體及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921054512003-03-13IPC H01L27/115
具有圓柱形基底編碼之高密度快閃記憶體架構
海力士半導體美國公司
案號 0921046702003-03-05IPC H01L27/115
內嵌單層複晶矽非揮發性記憶體之積體電路
力旺電子股份有限公司
案號 0921020692003-01-29IPC H01L27/115
快閃記憶胞結構及其操作方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921019002003-01-28IPC H01L27/115
記憶體單元
億恒科技公司
案號 0921016862003-01-27IPC H01L27/115