IPC H01L27/11 專利列表
共 124 筆結果
快閃記憶胞及其製造方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921122822003-05-06IPC H01L27/115
半導體積體電路裝置之製造方法
松下電器產業股份有限公司
案號 0921123042003-05-06IPC H01L27/112
靜態隨機存取記憶體之結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921120492003-05-01IPC H01L27/11
快閃記憶體胞元及製造方法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921120472003-05-01IPC H01L27/115
非揮發快閃半導體記憶體及製造方法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921120442003-05-01IPC H01L27/115
具至少部份位於半導體基材溝槽中浮動閘之非揮發性記憶胞元
台灣茂矽電子股份有限公司
案號 0921102182003-04-30IPC H01L27/115
非揮發性記憶體之編碼及抹除操作方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921098622003-04-28IPC H01L27/115
使用單多晶矽互補式金屬氧化半導體製程之選擇熔絲電路
力旺電子股份有限公司
案號 0921097942003-04-25IPC H01L27/112
使用單一電晶體之高密度半導體記憶胞與記憶陣列
美商賽諾西斯公司
案號 0921098132003-04-25IPC H01L27/112
靜態隨機存取記憶體單元及其製造之方法
美格納半導體有限公司
案號 0921097222003-04-25IPC H01L27/11
自對準雙位元非揮發性記憶胞及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921095712003-04-24IPC H01L27/115
非揮發性半導體記憶裝置及其製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921088262003-04-16IPC H01L27/115
非揮發性記憶元件的結構
旺宏電子股份有限公司
案號 0921086132003-04-15IPC H01L27/112
分離閘極快閃記憶體胞及其製造方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921076032003-04-03IPC H01L27/115
雙位元分離閘極快閃記憶體及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921070512003-03-28IPC H01L27/115
可降低軟錯記之靜態隨機存取記憶體的記憶單元及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921070492003-03-28IPC H01L27/11
快閃記憶胞及其製造方法
華邦電子股份有限公司
案號 0921067392003-03-26IPC H01L27/115
氮化矽唯讀記憶體及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921067442003-03-26IPC H01L27/112
半導體積體電路裝置
三洋電機股份有限公司
案號 0921067352003-03-26IPC H01L27/118
浮動閘極的形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921066052003-03-25IPC H01L27/115