IPC C23C16/30 專利列表
共 5 筆結果
降低化學氣相沉積摻雜磷氧化層表面缺陷之方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921369272003-12-25IPC C23C16/30
藉ＡＬＣＶＤ方法進行ＨｆＯ2薄膜沉積用之硝酸鉿合成方法
夏普股份有限公司
案號 0921347182003-12-09IPC C23C16/30
用以形成含有鋯及／或鉿之層的系統與方法
麥肯科技有限公司
案號 0921236512003-08-27IPC C23C16/30
金屬有機化學氣相沈積法以及氧氮化金屬和氧氮化金屬矽之原子層沈積
艾斯摩美國股份有限公司
案號 0921195832003-07-17IPC C23C16/30
形成含矽絕緣膜之ＣＶＤ方法及裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921007232003-01-14IPC C23C16/30