IPC H01L21/00 專利列表
共 396 筆結果
在銅／銅或銅／金屬接合期間使用氫電漿以預清洗銅表面之方法
特許半導體製造公司
案號 0921030482003-02-14IPC H01L21/00
具紋理塗層的處理室組件之評估
應用材料股份有限公司
案號 0921029322003-02-12IPC H01L21/00
基板處理裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921028852003-02-12IPC H01L21/00
基材處理之設備與方法
應用材料股份有限公司
案號 0921021212003-01-30IPC H01L21/00
利用預形成之奈米管製造碳奈米管薄膜、層、織品、條帶、元件及物品之方法
日商日本瑞翁股份有限公司
案號 0921015382003-01-24IPC H01L21/00
晶圓乾燥系統及其運作方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921012812003-01-21IPC H01L21/00
半導體裝置及其製造方法
東芝股份有限公司
案號 0921012412003-01-21IPC H01L21/00
半導體裝置之製造設備
周星工程股份有限公司
案號 0921006592003-01-13IPC H01L21/00
毫微管薄膜及物件之方法
日商日本瑞翁股份有限公司
案號 0921004512003-01-10IPC H01L21/00
有機電激發光元件之成膜製程
勝華科技股份有限公司
案號 0921002852003-01-08IPC H01L21/00
將焊球放置到基底的設備及其操作方法
先進自動器材有限公司
案號 0921001362003-01-03IPC H01L21/00
連續異常缺陷快速警示系統及方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921000742003-01-02IPC H01L21/00
處理液調製供給方法及裝置
平間理化研究所股份有限公司
案號 0911378692002-12-30IPC H01L21/00
電漿清潔方法(一)
馗鼎奈米科技股份有限公司
案號 0911372592002-12-25IPC H01L21/00
用於氮化鈦原子層沉積之反應室硬體設計
應用材料股份有限公司
案號 0911370652002-12-23IPC H01L21/00
積體化薄膜被動元件之製造方法及其結構
財團法人工業技術研究院
案號 0911367502002-12-19IPC H01L21/00
利用光夾子移除積體電路表面微粒之方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911361992002-12-13IPC H01L21/00
真空室單元
三菱電機股份有限公司
案號 0911357932002-12-11IPC H01L21/00
光阻供應系統及方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0911350062002-12-03IPC H01L21/00
基板加工裝置
美商布魯克斯自動機械美國公司
案號 0911349802002-12-03IPC H01L21/00