IPC H01L21/20 專利列表
共 229 筆結果
多層結構之製造方法
斯歐埃技術公司
案號 0921343682003-12-05IPC H01L21/20
四元-三元組成之半導體裝置
雷森公司
案號 0921337282003-12-01IPC H01L21/20
半導體節距之製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921335512003-11-28IPC H01L21/20
電子元件之電極蒸鍍製造裝置
蘇水祥
案號 0921334672003-11-28IPC H01L21/203
Ｐ型氮化物半導體材料之分子束磊晶生長
夏普股份有限公司
案號 0921335722003-11-28IPC H01L21/20
絕緣體上應變的矽（ＳＳＯＩ）及其形成方法
萬國商業機器公司
案號 0921333342003-11-27IPC H01L21/20
製造主動矩陣基板的方法及使用該基板的影像顯示裝置
日立顯示器股份有限公司
案號 0921334202003-11-27IPC H01L21/20
晶體薄膜的製造方法
佳能股份有限公司
案號 0921334102003-11-27IPC H01L21/20
製作氧化矽／氮化矽／氧化矽結構的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921332872003-11-27IPC H01L21/20
選擇性去除半球狀矽晶粒層的方法及深渠溝電容器之製法
茂德科技股份有限公司
案號 0921330022003-11-25IPC H01L21/20
矽化鎳層的形成方法、鎳合金自動對準矽化金屬電晶體結構以及其製造方法
三星電子股份有限公司
案號 0921328712003-11-24IPC H01L21/20
柵極裝置
聚昌科技股份有限公司
案號 0921327272003-11-21IPC H01L21/203
半導體裝置之製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921325962003-11-20IPC H01L21/203
形成具有微晶粒之多晶矽層的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921322232003-11-18IPC H01L21/205
半導體膜、製造半導體膜之方法、半導體裝置、及製造半導體裝置之方法
夏普股份有限公司
案號 0921312752003-11-07IPC H01L21/20
單結晶氮化鎵局部化之基板及其製造方法
大阪府
案號 0921305412003-10-31IPC H01L21/205
半導體裝置及其製造方法
夏普股份有限公司
案號 0921302872003-10-30IPC H01L21/20
熱處理裝置及熱處理方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921302532003-10-30IPC H01L21/205
用以產生ＭＩＭ電容器對準標記之平板穿透罩幕
億恆科技股份公司
案號 0921298332003-10-27IPC H01L21/20
快速熱處理（ＲＴＰ）系統之排氣壓力控制方法
中芯國際集成電路製造（上海）有限公司
案號 0921297862003-10-27IPC H01L21/20