IPC H01L21/20 專利列表
共 229 筆結果
處理被處理基板之半導體處理方法及裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0931026522004-02-05IPC H01L21/205
一種具有氮化合物介穩式應力釋放緩衝層之磊晶成長方法
南亞光電股份有限公司
案號 0931022482004-01-30IPC H01L21/20
透明電極之製作方法
國立成功大學
案號 0931017252004-01-27IPC H01L21/203
在被處理基板上形成氮化矽膜之ＣＶＤ方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0931016222004-01-20IPC H01L21/205
高頻電力供給裝置及電漿產生裝置
獨立行政法人科學技術振興機構
案號 0931012222004-01-16IPC H01L21/203
用於高遷移率元件的ＳＩＧｅ應變弛豫緩衝層及其製造方法
環宇微電中心
案號 0931010052004-01-14IPC H01L21/20
結晶化半導體薄膜的製造方法及其製造裝置
夏普股份有限公司
案號 0931009172004-01-14IPC H01L21/20
半導體裝置及其製造方法
三肯電氣股份有限公司
案號 0931007072004-01-12IPC H01L21/20
有機電激發光面板之製造方法及有機電激發光面板
南韓商三星顯示器有限公司
案號 0931003542004-01-07IPC H01L21/20
低壓化學氣相沉積設備中減少微粒的方法
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921374312003-12-30IPC H01L21/205
絕緣層之平坦化方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921375322003-12-30IPC H01L21/205
有機絕緣膜及其製造方法、與利用此有機絕緣膜之半導體裝置及其製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921375292003-12-30IPC H01L21/205
具有磊晶Ｃ-４９矽化鈦（ＴＩＳＩ２）層之半導體裝置及其製造方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921373012003-12-29IPC H01L21/20
低電阻ｎ型半導體鑽石及其製造方法
住友電氣工業股份有限公司
案號 0921368842003-12-25IPC H01L21/20
製造一半導體裝置之方法及由此一方法所取得之半導體裝置
恩智浦股份有限公司
案號 0921358172003-12-17IPC H01L21/20
堆疊層的外延分離方法
億恆科技股份公司
案號 0921358822003-12-17IPC H01L21/20
物理氣相沈積製程及其設備
茂德科技股份有限公司
案號 0921355202003-12-16IPC H01L21/203
藉由氫化物汽相磊晶術生長減少差排密度之非極性氮化鎵
美國加利福尼亞大學董事會
案號 0921355552003-12-16IPC H01L21/20
半導體裝置及其製造方法
夏普股份有限公司
案號 0921354372003-12-15IPC H01L21/20
製造結晶薄膜之製程
佳能股份有限公司
案號 0921349012003-12-10IPC H01L21/20